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半导体技术2014年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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91. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要：
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92. 微流控芯片的键合技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 微流控芯片实验室的成品率普遍较低,其中密封技术是微流控芯片制造过程的关键步骤,也是难点之一.玻璃等硬质材料常通过热键合和阳极键合技术实现密封,而节能省时的低温玻璃键合技术更受科研人员的青睐....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM).采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本.提出了一种新型的操作模式,可减轻写操...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 报道了一款新颖单片集成电路,其集成了数控衰减功能及放大功能.在设计过程中,为实现单片集成电路的宽带特性,放大单元采用负反馈结构;为实现单片集成电路的低噪声特性和功率特性,精确测量器件的噪声特...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 优化YAG荧光粉涂层配方和工艺,在传统球泡灯玻璃外壳内侧涂覆YAG荧光粉;蓝光LED芯片采用单坑板上芯片封装(COB),使蓝光芯片之间不存在光的相互吸收;选用塑料外壳,且其内部为铝制散热结构...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 研究了一种基于国产SiC衬底的L波段GaN高效率内匹配器件.利用在片微波测试和直流测试相结合方法获得器件的小信号模型,外推得到大信号模型,并进行负载牵引方法验证.在此基础上设计两胞匹配电路,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 研究了激光退火工艺中由于硅片表面图形/颗粒诱生的波纹结构和形成波纹的临界能量,分析了波纹产生的机理,并提出了预防措施.使用原子力显微镜(AFM)观察波纹的形貌,通过俄歇电子能谱(AES)对形...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变硅(sSOI)材料.利用喇曼光谱分析、缺陷优先腐蚀以及透射...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 研究了IC塑封浇注系统对金线偏移的影响,通过数值模拟对金线偏移现象进行理论分析与预测,以金线偏移量最小为标准,对浇口参数进行优化.在模拟优化的基础上设计制造了不同浇口参数的模具镶件,对模拟结...
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101. 40nm节点低阻接触栓的电迁移可靠性优化刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 研究了40 nm工艺中低阻值接触栓的电迁移性能的提升.高性能芯片要求接触栓电阻尽可能小,而接触栓尺寸的减小使低电阻率钨成为必然选择.新材料的引入和尺寸减小等因素使传统工艺中较为稳定的接触栓的...
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102. 芯片堆叠封装耐湿热可靠性刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 采用Abaqus软件模拟了CPU和DDR双层芯片堆叠封装组件在85℃/RH85％湿热环境下分别吸湿5,17,55和168 h的相对湿气扩散分布和吸湿168 h后回流焊过程中湿应力、热应力和湿...
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103. 多层介质电容失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 针对GaAs MMIC因电容失效而导致性能异常的问题,分析了电容失效模式及失效机理.对GaAs MMIC中多层介质电容的制作过程进行了重点监控,分析了电子束蒸发工艺缺陷对多层介质电容失效的影...
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104. 双磁悬浮泵串联技术在超精细清洗机中的应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 化学药液供给系统是晶片清洗机的重要功能单元.其特殊的使用环境,要求动力泵应该具备耐化学腐蚀、不产生污染颗粒、外形尺寸小、而且输出的压力较高和流量较大等特性.重点介绍了磁悬浮泵在65 nm超精...
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105. 多晶硅铸锭炉隔热屏的优化及数值模拟刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 为了降低多晶硅铸锭生产过程中的能耗损失,提高铸锭炉热场使用寿命,对某450型多晶硅铸锭炉热场隔热屏结构进行优化,设计了金属钼屏和非金属石墨碳毡复合隔热屏.通过有限元AN-SYS软件对隔热屏优...
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106. 氧化锌的p型掺杂改性研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 综述了近年来纳米氧化锌材料p型掺杂改性的研究现状,介绍了用于p型掺杂的单元素和共掺杂双元素以及所采用的主要掺杂方法,这些方法包括热蒸发法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、低温水解法、离子束增强沉积...
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107. 一种基于电流比较的新型过温保护电路刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,提出了一种改进的高精度、低功耗、具有迟滞功能且结构简单的过温保护电路.在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号的双重功能.阐述了过温保...
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108. 基于布线轨道的SoC芯片供电带设计优化刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 针对传统用Synopsys公司IC Compiler工具自动生成供电带的设计方法会对布线资源产生一定程度的浪费,而影响物理设计布线质量的情况,提出了一种基于布线轨道的供电带设计优化方法.该方...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 采用分子束外延(MBE)技术在蓝宝石衬底上依次生长n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层和n+GaN发射极层,并通过半导体微细加工技术,制作了AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/...
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110. 基于RC触发NMOS器件的ESD电路设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影...
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111. 低功耗热光可调光衰减器的设计与制备刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 可调光衰减器(VOA)是波分复用(WDM)系统中最重要的器件之一,它的主要功能是控制和衰减光信号.设计并制备了基于石英衬底的4通道马赫增德尔(Mach-Zehnder)干涉型热光可调光衰减器...
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112. 40nm一体化刻蚀工艺技术研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术.阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体化刻蚀工艺开发所遇到的诸多工艺难题,并对其产生的机...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术.总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离...
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114. SiC材料的ICP-RIE浅槽刻蚀工艺刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速...
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115. 双极大功率晶体管背面工艺优化刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件.实验...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 在图形化衬底上以AlN作为缓冲层生长高质量的GaN薄膜,国内相关的报道较少.通过引入两步缓冲层生长方法,在蓝宝石图形衬底上生长基于AlN缓冲层的高质量GaN薄膜,利用低温AlN层生长时内部的...
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117. 封装基板中溅射纳米Ti层的微结构刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 研究了高密度封装基板中纳米溅射Ti层的微结构及其在无铅回流焊工艺中的稳定性.运用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)研究了实际基板中的溅射Ti层的形貌及结构.X射线衍射(XRD)结...
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118. 晶圆级芯片尺寸封装柔性焊点热循环可靠性刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 建立了晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)柔性无铅焊点三维有限元分析模型,基于该模型对柔性无铅焊点热循环等效应力应变进行了分析,并预测了焊点可靠性寿命.选取第一柔性层厚度、第二柔性层厚度、上焊盘...
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119. 隔离型达林顿管静态漏电失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害.对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树...
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120. 光伏组件分布电容的建模与分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 针对光伏组件分布电容缺少较准确的数学模型的问题,提出了一种晶体硅光伏组件的分布电容模型.利用建立的模型,分析了光伏组件封装材料(玻璃、EVA膜和背板)的介电常数εr、材料厚度对光伏组件分布电...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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