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半导体技术2015年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用.通过采用90 nm CMOS工艺设计了8种不同宽长比(W/L)的数模转换器(DAC),分...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模的噪声模型,Pu-cel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型.基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件...
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93. Ka波段GaN HEMT功率器件刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用AlN插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度.采用场板结构提高了器件击穿电压.采用T型栅工艺实现了细栅制作,提高...
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94. 8 kW高功率单刀四掷射频开关刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑.运用ADS电路仿真软件对射频开关...
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95. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关.为了使设计的QWIP达到预...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜.首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4h制备一系列Mg2Si半导体薄膜.采用台阶仪、X射线衍射...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 基于锗衬底在石墨烯生长方面的自限制生长和表面催化特性,以甲烷(CH4)和氢气(H2)为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法分别在锗硅碳(SixGe1-xC0.02)(x=0.15,0.25,...
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99. GaN异质外延中的侧向生长技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用.但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多数氮化物材料都是通过异质外延的方式来实现,外延材料和异质衬底之间...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 介绍了数模混合高速集成电路(IC)封装的特性以及该类封装协同设计的一般分析方法.合理有效的基板设计是实现可靠封装的重要保障,基于物理互连设计与电设计协同开展的思路,采用Cadence APD...
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101. 锁相环敏感模块的单粒子效应与设计加固刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 应用于航天工程的锁相环(PLL)电路遭受太空高能粒子轰击时会发生单粒子效应(SEE),引起电路失锁,对系统造成灾难性影响.分析了鉴频鉴相器(PFD)和分频器(DIV)模块的单粒子效应导致失锁...
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102. 一种提高分段式DAC线性度测试效率的方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年7期页码:摘要： 随着数模转化器(DAC)位数的增加,模拟量的步进值越来越小,数字万用表的精度和负载电阻的热效应成为影响DAC线性度测量的重要因素.基于分段式电流舵DAC的结构,结合其二进制和温度计译码电路的...
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103. 应用于无线传感器网络的射频发射机电路刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 设计了符合工业无线传感器网络WIA-PA标准的发射机电路.采用中频转换电路控制模拟中频信号的偏置及幅度以满足混频器的输入范围.采用正交双平衡混频器结构进行上变频,通过在固定电容上串联可调电容...
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104. MEMS陀螺驱动数字闭环ASIC设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 针对MEMS陀螺,基于四阶机电结合∑△调制器技术设计了一款驱动数字闭环电路.其中电容/电压转换电路(C/V转换电路)采用了开关电容电路.为了降低C/V转换电路的噪声,采用了相关双采样(CDS...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 基于GaAs pin工艺,研制了频率覆盖9.9～ 14.2 GHz的三通道开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片.开关滤波器组由输入/输出pin单刀三掷开关、带通滤波器组和pin开关偏...
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106. 一款低噪声卫星导航接收机射频前端的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 基于0.18tm RF CMOS工艺,采用低中频系统结构,设计了一款可应用于全球定位导航系统(GPS) L1频段和北斗二代(BD2) B1频段的低噪声卫星导航接收机的射频模拟前端芯片.该前端...
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107. 基于垂直互连技术的上下变频多芯片模块刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 采用垂直互连技术研制了一种X波段上下变频多芯片模块,实现了微波单片集成电路和介质基板在三维微波互连结构中的平稳转换、保证了微波信号的有效传输.简要分析了垂直互连对微波传输的影响和解决方法,应...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与常规MOSFET不同.在深入研究n型纳米非对称DG-TFE...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 在空间中,辐射粒子入射半导体器件,会在器件中淀积电荷.这些电荷被器件的敏感区域收集,造成存储器件(如静态随机存储器(SRAM))逻辑状态发生变化,产生单粒子翻转(SEU)效应.蒙特卡洛工具-...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管.通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si02和SiaN4薄膜的厚度分别为3...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 针对国内激光脱毛设备的需求,提出了宏通道加传导散热热沉的散热设计,并采用正交实验方法对影响宏通道散热能力的4个关键参数和3个水平进行了结构优化设计.仿真结果表明,对于该模块,本文设计的宏通道...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法沉积本征非晶硅薄膜,研究了热丝电流对薄膜结构及其钝化单晶硅片效果的影响.采用光谱型椭偏仪分析了非晶硅薄膜的介电常数虚部ε2和薄膜空位浓度的变化,采用傅里...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 采用PMMA/P (MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌.利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构.通过优化...
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114. GaN纳米线阵列的电子场发射研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 基于HCl辅助热蒸发GaN粉末的方法制备了纯净的一维GaN纳米线垂直阵列,重点研究了不同生长时间对应不同形貌的GaN纳米结构的电子场发射性能,以及氨气氛围下热退火对GaN纳米线阵列场发射性能...
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115. AlN单晶生长热场稳定性模拟刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 借助多物理场耦合软件模拟了物理气相传输法AlN单晶生长系统中的热场分布.探讨了生长不同厚度晶体的系统内部热场分布,并与实际生长不同厚度晶体的表面形貌进行比对.模拟结果表明,随着晶体厚度的增大...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力.为了研究动态应力对器件性能带来的影响,利用自主设计的应力机械装置对AlGa...
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117. 不同钝化结构开关晶体管的电子辐照退火特性刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 在11 MeV电子束辐照能量、不同辐照剂量和辐照退火条件下,研究了聚酰亚胺膜和氮化硅膜、二氧化硅膜、PSG膜以及它们组合形成的不同二次钝化结构的npn型开关晶体管参数(ts,hFE和两个不同...
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118. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要：
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119. 硅基自旋注入研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年9期页码:摘要： 自旋注入、自旋探测和自旋操控是构建半导体自旋电子器件的基础.在硅基材料上采用电的方式进行自旋注入,有利于自旋器件与微电子芯片的集成化,是当前该领域的研究热点课题之一.简要概述了硅基自旋注入的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年9期页码:摘要： 介绍了一款应用于无线收发系统的12 bit 200 MS/s的A/D转换器(ADC).流水线型模数转换器是从中频采样到高频采样并且具有高精度的典型结构,多个流水线型模数转换器利用时间交织技术...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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