半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 孙欣茁 李国峰 林长龙 梁科 王锦 郭振义
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  653-657
    摘要: 介绍了一款低频低功耗无源射频识别(RFID)技术芯片模拟前端的设计.详细介绍了低频RFID模拟前端的整体结构和主要模块.通过对低功耗带隙基准的设计,产生合适的偏置电压,为其他模块提供偏置,以...
  • 作者: 刘超 陈钟荣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  658-662
    摘要: E类功率放大器(PA)具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低.提出一种高频E类功率放大器的设...
  • 作者: 李用兵 林丽艳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  663-666
    摘要: 对GaAs场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3“+”3“-”)、3个负脉冲(3“-”)、3个正脉冲(3“+”)3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈...
  • 作者: 刘玉岭 武鹏 王娟 王辰伟 秦然 闫辰奇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  667-670,710
    摘要: 稳定性是衡量化学机械抛光(CMP)中抛光液性能的一个重要指标,低磨料和低pH值是抛光液发展的方向.研究了不同pH值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响.选取了磨料质量分数为1%的抛光液,加入磷酸...
  • 作者: 白敏菂
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  671-674,691
    摘要: 利用自主研发强电离放电的臭氧超净水产生系统,采用强电场电离放电把氧激发、电离,电离离解成O,O-,O+,O(1 D)和O2(a1△g)等活性粒子,它们进一步反应形成高浓度气态O3,再用强激励...
  • 作者: 刘上贤 夏洋 汪明刚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  675-678,717
    摘要: 基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀.采用两步刻蚀的方法...
  • 作者: 历强 梁培 沈涛 陈欣平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  679-683
    摘要: WS2属于过渡金属二硫化物中的重要一员,在纳米材料及光电领域均有广阔的应用前景.WS2的低维结构性质能随其边缘结构和形貌的变化而变化.使用第一性原理计算边缘形成能并结合Wullf Const...
  • 作者: 刘旭东 张翼 薛齐文
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  684-691
    摘要: 使用ANSYS有限元软件建立简化的基于硅通孔技术互连的二维结构模型,用粘塑性本构Anand方程来描述SnPb钎料焊点的力学行为,针对模型中的焊球进行热力耦合计算,研究热循环过程中的热失效问题...
  • 作者: 奚嘉 张黎 肖斐 赖志明 陈妙 龙欣江
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  692-698
    摘要: FeNi合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料.对两种FeNi UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、...
  • 作者: 卓国文 张渊博 韩培德
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  699-705
    摘要: 太阳电池等效模型参数测试是太阳电池生产应用与光伏研究的必备环节,针对传统太阳电池测试系统不但成本高,而且无法测试交流模型参数,提出了一种基于可控电流源的太阳电池等效模型参数测试方法,并成功搭...
  • 作者: 兰天宝 潘晓旭 苏飞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  706-710
    摘要: 为检测硅片在制造工艺中的应力变化,研制了可用于硅片应力检测/监测的红外光弹(IRPE)系统,获得了芯片的红外光弹图像.利用该系统得出了硅通孔(TSV)结构在退火过程中的应力变化,并发现虽然制...
  • 作者: 张超 李阳 郑宏宇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年9期
    页码:  711-717
    摘要: 基于欧姆龙CJ系列可编程逻辑控制器(PLC)的控制平台,设计并实现了一种高温共烧陶瓷(HTCC)带料通用自动上下料系统.从机械、电气和程序3个角度分别阐述了设备的设计思路和工作原理.利用模块...
  • 作者: 吴利青 徐德辉 熊斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  721-729
    摘要: 热电能量采集器是一种基于塞贝克效应,利用温差将热能直接转化成电能的温差发电装置.由于其体积小、重量轻、寿命长、无机械运动部件、绿色环保等优点,微型热电能量采集器(MTEG)已经引起了国内外的...
  • 作者: 吴亚美 杨瑞霞 王如 田汉民 花中秋 陈帅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  730-738,782
    摘要: 有机/无机杂化钙钛矿太阳电池因具有高光吸收系数、高转换效率以及低制备成本等优点引起了科学界的广泛关注.综述了近年来有机/无机杂化钙钛矿吸收层几种制备工艺的研究进展,重点分析了目前应用较为广泛...
  • 作者: 冯全源 周朝阳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  739-743
    摘要: 当输入电压或者负载电流变化时低压差线性稳压器(LDO)系统稳定性是其研究热点和设计难点.针对这一问题,设计了一款加入动态补偿电路的快速响应LDO,这种新颖的LDO结构能有效改善在不同负载电流...
  • 作者: 吴玉平 张学连 张琦 方山 陈岚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  744-748,782
    摘要: 提出了一种标准单元的电路-版图设计自动优化技术.根据目标电学性能等确定电路中器件的参数值,然后根据参数变化微调现有的标准单元版图,快速自动生成符合设计规则的新版图.该技术可从新版图中获取电路...
  • 作者: 孔令甲 要志宏 陈书宾 高长征
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  749-753
    摘要: 结合混合微波集成电路(HMIC)工艺和砷化镓单片微波集成电路(MMIC)工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器.采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠...
  • 作者: 林殷茵 胡心仪
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  754-758
    摘要: 随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重.版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素.为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)...
  • 作者: 戴敏洁 曹子贵 王卉 程凯 高超 黄浩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  759-763,774
    摘要: 基于三栅分栅闪存在擦除操作F-N隧穿停止时界面电场恒定的特性,提出一种动态擦除电压模型,该模型基于稳定循环操作后浮栅电位的理念,通过实时可监测的浮栅电位值来动态调节闪存器件擦除操作的工作电压...
  • 作者: 赵圣哲 赵文魁 马万里
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  764-769
    摘要: 主要综述了硅基恒流二极管(CRD)国内外的发展历史和研究现状,并以横向沟道CRD为例,详述了器件的工作原理和关键参数,并分析了影响器件性能的主要因素.同时重点研究了目前国内市场上CRD的主流...
  • 作者: 刘玉岭 王月霞 王辰伟 闫辰奇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  770-774
    摘要: 针对不合腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟评估氧化剂对晶圆表面平坦化的影响.在12英寸铜镀膜片...
  • 作者: 吴元庆 周涛 夏婷婷 陆晓东
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  775-782
    摘要: 利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对n型插指背接触(IBC)太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响.借鉴双极半导体器件抗二次击穿技术,...
  • 作者: 哈悦 张小玲 李嘉楠 王改丽 袁芳 谢雪松 陈君
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  783-788
    摘要: 介绍了我国海洋环境的特点及其对双极型晶体管特性的影响.基于典型近海仓库贮存环境,以具有代表性的、用量较大的中小功率晶体管为研究对象,具体分析了近海仓库贮存30~40年的双极型晶体管的性能退化...
  • 作者: 李潇 王珺
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  789-792
    摘要: 为满足电子设备不断小型化与多功能化的需要,圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)芯片上焊球的尺寸不断缩小,焊球直径达100 μm.选用100,150,200,250和300 μm SAC (Sn-...
  • 作者: 于赫薇 周柯 尹彬锋 钱燕妮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年10期
    页码:  793-797
    摘要: 采用铜大马士革工艺制备了用于电迁移测试的样品,对电迁移测试过程中存在的两类电阻-时间(R-t)特征曲线进行了研究.研究发现采用固定电阻变化率作为失效判定标准所得的失效时间分布曲线不能真实地反...
  • 作者: 张卿 李果华 杨国锋 汪金 高淑梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年11期
    页码:  801-809,834
    摘要: 近年来,GaN基发光二极管(LED)的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.但由于普通玻璃较低的软化温度(500~ 60...
  • 作者: 刘秀博 吴洪江
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年11期
    页码:  810-814
    摘要: 采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件.组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器(LNA)芯片、幅相控制多功能芯...
  • 作者: 刘磊 史茂雷 师建英 路雪森 马昊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年11期
    页码:  815-819
    摘要: 空间近日等强辐照造成的高温严重影响光伏电池的转化效率,同时造成辐射能量的浪费.以单晶Si光伏电池和Bi2Te3热电电池为基本单元,构建Si-Bi2 Te3光热耦合电源器件模型.采用有限元分析...
  • 作者: 姚楚君 孙锐 李月靖 杨国锋 蔡乐晟 许桂婷
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年11期
    页码:  820-824,839
    摘要: 随着氮(N)面GaN材料生长技术的发展,基于N面GaN衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义.研究了具有高发光功率的N面GaN基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的...
  • 作者: 王海永 陈岚 霍允杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年11期
    页码:  825-828,855
    摘要: 建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型.采用有效截止频率厂T.e.来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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