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半导体技术2018年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： 基于InP双异质结双极晶体管(DHBT)工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器(DAC)芯片,该InP工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GH...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： 针对传统电磁继电器在起动机启动时保护能力弱、灵敏度低、寿命短、体积大等缺点,基于0.35 μm CMOS工艺,设计了一种分时电压采样与保护的电子继电器控制集成电路.该电路通过A/D采样模块采...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： 基于GF 8HP 0.12 μm BiCMOS工艺设计并实现了一款应用于相控阵系统的具有低幅度均方根(RMS)误差的单片集成5～40 GHz5 bit数控衰减器.该衰减器采用桥T和单刀双掷(...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： 提出并研究了一种具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管.通过Silvaco TACD计算机仿真平台,对具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管与常规均匀掺杂基区的SiC光控晶体管的性能进行了对比分...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： 为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液温度和质量分数对硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率的影响.通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装.除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果.采用自制等离子增强原子层沉积(PE-ALD)系统在低...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： 利用有限元法对单片6英寸(1英寸=2.54 cm)GaN衬底用氢化物气相外延(HVPE)生长系统的工艺参数进行了数值模拟和优化.通过建立反应室二维几何模型,依次改变HVPE系统中的GaCl,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： 以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模(EFG)法生长了2英寸(1英寸=2.54 cm)未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶.研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： 针对U型沟槽MOSFET (UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验.采用透...
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100. IP硬核无损测试技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： 针对大量IP硬核精准、快速的测试验证需求,在分析现有IP硬核测试技术的基础上,研究了IP硬核无损测试技术.通过设计模拟用户片上系统(SOC)的通用评估系统,将被测IP硬核嵌入在测试电路中,并...
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101. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要：
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102. 碳纳米管检测应用读出电路的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 近年来,碳纳米管(C NTs)因其独特的结构和卓越的电学性能,在后摩尔定律时代成为了集成电路器件领域的研究热点.针对新型CNTs放大器的检测应用,设计了一款完整的放大、模数转换读出电路芯片....
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103. 一款全CMOS结构低功耗亚阈带隙基准源刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 基于CSMC 0.18 μm工艺,设计了一款全CMOS结构的带隙基准源电路.电路正常工作时,所有MOS管均处于亚阈工作状态,从而保证了整个带隙基准电路芯片具有极低的功耗.在电压输出方面,通过...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 基于90 nm eFLASH工艺设计并制备了一种新型抗辐照Push-Pull型pFLASH开关单元,并对其特性进行了研究.该结构由2个2T-FLASH管(T1/T2)和1个信号传输PMOS管...
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105. 高可靠性1060 nm单横模半导体激光器刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 研制了一款基于InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的1 060 nm单横模半导体激光器,并采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法实现了外延生长.使用张应变的GaAsP势垒层对量子...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 通过在碱性硅溶胶中添加不同的芬顿试剂配制成不同的硅溶胶抛光液,检测其Zeta电位绝对值的大小,研究不同芬顿反应试剂对硅溶胶稳定性的影响,进而探究其稳定性对SiC化学机械抛光的影响.实验结果表...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 采用滴涂法将Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米墨水制成薄膜,研究了退火工艺对薄膜性能的影响.首先,采用乙醇作为溶剂、三乙醇胺作为分散剂,将微波液相合成的水性CZTS纳米颗粒配成纳米墨水,并采...
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108. 硅纳米线界面态的化学钝化方法概述刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 分析了界面态对硅无结纳米线晶体管(JNT)亚阈值摆幅和电导率的影响,并详细总结了化学钝化硅纳米线界面态的方法以及对器件性能的影响.化学钝化方法主要包括各向同性的氢氟酸(HF)腐蚀钝化和各向异...
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109. AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 在图形化蓝宝石衬底上制备了InGaN/AlGaN近紫外发光二极管(LED).采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法外延生长了不同厚度的AlN成核层,系统研究了AlN成核层厚度对外延层质量...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 智能剥离技术是制备绝缘体上锗(GeOI)衬底的常用方法.然而,由于锗与硅之间的热膨胀系数相差较大,硅锗键合界面较大的热应力可能导致键合对裂片或者解键合.通过对硅锗异质键合对的热应力问题进行理...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法同质生长了边缘无多晶聚集的金刚石,详细研究了其表面与侧面的生长情况.利用微分干涉相差显微镜和喇曼光谱仪对边缘无多晶的单晶金刚石进行了表征,结果表明...
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112. 微电子封装金包银复合键合丝的微结构和性能刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 采用固相复合及大塑性拉拔技术制备了线径0.020 mm的金包银复合键合丝,并利用扫描电子显微镜、双束电子显微镜、单轴拉伸实验、电阻率实验、键合实验、线弧挑断实验及焊球推力实验等对其微结构和性...
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113. 40 nm工艺芯片中低k介质剪切失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 90 nm节点及以下的芯片在回流组装中,材料热失配引起的凸点剪切易导致低介电常数(k)布线介质层中发生断裂失效,即芯片封装交互影响问题.通过单个凸点的剪切试验,结合凸点下方的布线层失效分析,...
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114. 28 nm工艺开发中的器件局域失配研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年9期页码:摘要： 在集成电路28 nm和14 nm等先进制造工艺开发中,采用纳米探针锁定失配器件后,依然无法通过物性分析找出失效原因,成为提升低压良率的最大瓶颈.通过对存储失效单元器件特性的分析提出了失效模型...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 分析了目前分段电流舵数模转换器(DAC)在动态性能提升和芯片面积缩小等方面的局限性.提出了动态元件匹配(DEM)译码技术.设计了16 bit DAC中的DEM译码电路结构,分析了DEM译码技...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 设计并实现了一款具备200 mA输出电流能力的开关电容电压反转器,可用于有源相控阵雷达T/R组件中正负电源转换.采用无感式设计简化了开关电源的复杂外围,有效减小了体积.对开关电容电压反转器的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 制备了集成式全固态AlGaN/GaN异质结离子敏感场效应晶体管(ISFET)结构pH传感器,并研究了其温度特性.将惰性金属薄膜作为固态参比电极集成到pH传感器主体上,取代传统的外置玻璃参比电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010) Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 利用电化学阳极氧化方法制备了高度有序的TiO2纳米管阵列,采用旋涂方法在纳米管表面制作一层聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)∶聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT∶PSS)薄膜构建PEDOT∶PSS/Ti...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年10期页码:摘要： 为了评估不同电热应力和时间周期下碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高温栅偏特性,搭建了具备施加高温栅偏应力和测量器件静态特性以及两者快速切换的实验平台.从施加高温...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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