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半导体技术2019年第5期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 采用金刚石衬底可显著提升GaN微波功率器件的散热能力, 从而制作尺寸更小、功率更高的金刚石基GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件.介绍了金刚石基GaN HEMT技术优势.综述了金刚石...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 盖革模式 (GM) 雪崩光电二极管 (APD) 探测器具有单光子级探测灵敏度, 可广泛用于三维成像和测量测绘等领域.针对InGaAs基GM-APD, 提出一种用于自由模式探测的主动淬灭电路....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 提出了一种分辨率、电源电压等性能指标可配置的逐次逼近寄存器型 (SAR) 模数转换器 (ADC) 的设计思想和实现方式.分析了SAR ADC的采样速率、精度、功耗和能量效率等主要性能指标之间...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 以SiC MOSFET为代表的功率器件的驱动及保护技术长期被国外垄断, 国内对SiC MOSFET的驱动保护技术研究较少.SiC MOSFET栅极氧化层薄、短路耐量小, 由于高频开关特性, ...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO) 薄膜、铟氧化物(In2O3) 薄膜和性能明显改善的双层In2O3 /IGZO 异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性.结果表明,喷墨打...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 采用二维有限元法(FEM) 模拟了激射波长为1 550 nm 的InGaAsP /InGaAsP 多量子阱(MQW) 双沟道脊波导(DCRW) 激光器的热分布,系统研究了钝化层材料、沟道宽度...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 研究了Statz模型对于表征射频 (RF) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 器件特性的适用情况, 并提出了一个MOSFET非线性电容改进模型.对英飞凌公司生产的规格为4×0....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 隧穿氧化物钝化接触 (TOPCon) 技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一.报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术, 对前表面SiO2/多晶硅钝化层进行了优...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 采用预铺Ga或NH3氮化等方式原位处理图形化蓝宝石衬底 (PSS) 表面, 然后外延生长了GaN薄膜, 研究了PSS表面预处理对GaN薄膜表面形貌、晶体质量以及残余应力的影响.结果显示, P...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 研究了不同掺杂浓度的Co3O4-ZnO纳米复合材料的丙酮气敏特性, 并讨论了可见光照射下的光电响应及丙酮气敏响应机理.采用溶胶-凝胶法, 制备了Co3O4掺杂质量分数分别为0、2.13％、4...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 对富铟磷化铟 (InP) 晶体中铟夹杂物的基体特征进行了分析和表征.在富铟熔体中制备了InP单晶, 利用金相显微镜及红外透射显微镜研究InP晶体中的铟夹杂物形态及其基体周围的影响区的形成.研...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 通过仿真键合引线不同拱高、直径和数量对回波损耗的影响, 探究了高频下先进封装结构中典型键合引线的电磁特性, 以指导其优化设计.结合其电磁全波仿真模型建模, 提出了改进的"T"型等效电路并解释...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 建立了Elman神经网络模型来实现绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的寿命预测.分析了IGBT的结构及其失效原因, 结合NASA埃姆斯中心的加速热老化试验数据, 确定了以集电极-发射极关断电...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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