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半导体技术2021年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 为满足新一代SiC基功率模块的先进封装需求,研究了Si3N4覆铜活性金属焊接(AMB)基板的界面空洞控制技术,使Si3N4陶瓷与铜箔界面处的空洞率低于1％.选用Ag-Cu-Ti活性金属焊片作...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 近年来,二氧化钛、氧化锌等半导体材料被广泛应用于光解水研究中.金属纳米结构激发的表面等离激元(SPP)热载流子效应能够有效地俘获入射光,进一步增强光能与化学能之间的转换效率,是提高半导体光解...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 设计了一款基于GSMC 130 nm CMOS工艺的像素级开关电容阵列(SCA)波形采样芯片.该芯片由32×32像素阵列和读写控制电路组成,每个像素集成了裸露的顶层金属、pn结和32×32 ...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 以50 μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC).该功率放大器MMIC电路采用三级放大拓扑结构进行设计;采...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 提出了一种高速低延时8 bit/10 bit解码电路结构,采用四路并行通道同时处理输入数据,每一路具有K码检测、输入数据查错功能,能够在输入四路10 bit数据后的一个时钟周期内正确完成解码...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 介绍了一种基于反熔丝的抗辐照精密校频专用集成电路(ASIC)设计方案,可应用于频率控制系统,实现精密的频率调节.该ASIC以反熔丝可编程数字电压阵列为核心,集成数字通信协议接口、一次性可编程...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE).通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响.仿真结果显示DSOI NM...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘处峰值电场及正向特性的影响,得到了宽度5μm、厚度200 nm的最...
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99. 宽带FBAR滤波器的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 采用阶梯型结构的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器芯片和外匹配电路实现了一种输入输出端口阻抗均为50 Ω的宽带FBAR滤波器.FBAR滤波器芯片采用自主的FBAR滤波器工艺实现,外匹配电路采...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 4H-SiC外延薄膜是加工高频、大功率电子电力器件的理想半导体材料,而使用不同斜切角的衬底进行外延生长的工艺不同.在1.2°小切角的4H-SiC离轴衬底上采用化学气相沉积(CVD)法生长同质...
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101. 二氧化钒薄膜的反常热色性能和热滞回线刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 利用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同厚度的二氧化钒(VO2)薄膜.实验结果表明,所制备的VO2薄膜都具有显著的热色性能.厚度较大的薄膜在低温时具有较高的透过率,而在高温时具有较低的透过率....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 采用可控化学腐蚀法制备SiC量子点,在原有腐蚀剂(氢氟酸和硝酸)的基础上添加适量的分析纯硫酸,一步法完成SiC量子点的表面修饰.采用光度计和Lince软件测量并计算了平均粒径5 nm的SiC...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 建立了3D堆叠芯片硅通孔(TSV)单元体模型,在单元体总体积和TSV体积占比给定时,考虑电-热-力耦合效应,以最高温度、(火积)耗散率、最大应力和最大形变为性能指标,对TSV横截面长宽比和单...
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104. InP籽晶表面处理的装置设计与工艺优化刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年8期页码:摘要： 为改善InP籽晶表面洁净度,保证InP材料生长时的电学参数并减小引晶阶段孪晶形成概率,设计了InP籽晶表面处理装置.该装置采用动态方式对籽晶表面进行处理,采用原子力显微镜扫描处理后籽晶的表面...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 近年来,由于有机场效应晶体管(OFET)具有成本低、机械柔性优异且可大面积制备等优点成为国际研究的前沿领域之一.迄今为止,OFET的载流子迁移率已超过了非晶硅薄膜晶体管,在柔性集成电路中表现...
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106. 一种用于继电保护的电源钳位静电放电电路刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 与消费类电子产品相比,用于继电保护的集成电路(IC)面临着更为严苛的静电放电(ESD)环境,需要高可靠性的电源钳位ESD电路,但这会给芯片带来较大的泄漏功耗.针对继电保护电路的ESD需求,提...
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107. 具有寄生电阻消除功能的远端测温芯片刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 设计并流片实现了一款具有寄生电阻消除功能的远端测温芯片.分析了远端测温原理和寄生电阻对测温精度的影响,利用差分结构采集远端三极管产生的温度信号.采用一阶∑-△模数转换器(ADC)将温度信号进...
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108. 一种低相位噪声的毫米波压控振荡器刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 基于推推振荡器结构设计了一种低相位噪声的毫米波压控振荡器,相比传统采用直接振荡和倍频实现的振荡器,该振荡器具有体积小、相位噪声低及电路简单等优点.振荡器中的谐振电路采用多级串联谐振,电感采用...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 界面质量是影响GaN MOS器件性能以及可靠性的主要因素之一,Al203栅介质与极性GaN界面间插入超薄非晶AlN作为钝化层可以有效改善GaN栅界面特性,针对AIN钝化层生长方式研究了GaN...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN (i-GaN)调制层的新型AlGa...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 提出了通过增大欧姆接触电极包围角提高GaN基太赫兹肖特基二极管的截止频率的方法,该方法减小了空气桥结构平面肖特基二极管的串联电阻,进而提高了器件的截止频率.设计并制备了不同欧姆接触电极包围角...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 设计了一种1550 nm波长分布反馈(DFB)激光器芯片,分析了有源区材料和波导结构对芯片参数的影响.分析了影响输出功率和相对强度噪声(RIN)的因素,并进行了实验对比.通过对芯片材料结构和...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： SiC MOSFET分立器件的并联结构已在中大功率应用中广泛使用,为了充分利用并联的优势,需解决并联动态电流不均衡问题.在SiC MOSFET特性参数中,阈值电压是影响并联动态均流特性最主要...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 采用旋涂法与水热法在掺氟二氧化锡(FTO)上制备了Ce掺杂Bi2S3/Fe2O3(Ce-Bi2S3/Fe2O3)异质结,对样品的组成、形貌及其光电性能进行了研究分析.结果 显示,Ce-Bi2...
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115. 等离子体增强原子层沉积制备压电AlN薄膜刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在单晶硅衬底上成功制备了具有(002)晶面择优取向的氮化铝(AlN)晶态薄膜,为设计新型压电功能器件提供了思路.利用椭圆偏振光谱仪(SE)、原子力...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 针对陶瓷外壳中影响高频信号传输性能的键合指、传输线、过孔和返回路径平面等结构进行仿真研究,得到了在0～ 20 GHz频带内的最优参数模型.将其应用于某CLGA49陶瓷外壳产品,高频信号传输性...
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117. 白光干涉测量控制系统的集成化设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年9期页码:摘要： 微纳技术的发展带动了微纳米检测计量仪器的发展,微纳米测量仪器的智能化、集成化和小型化是仪器研发中的共性问题.在白光干涉测量系统中,设计了基于STM32处理器的控制系统,该系统将原本分立的光源...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
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| 4. | 科学文摘(英) |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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