小切角衬底上4H-SiC同质外延薄膜的形貌

• 作者: 李珣 朱松冉 姜霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: SiC 形貌 化学气相沉积(CVD) 衬底 外延
• 年，卷（期）: 2021,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体材料|Semiconductor Materials
• 页码范围: 635-639,644
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.08.009

摘要

4H-SiC外延薄膜是加工高频、大功率电子电力器件的理想半导体材料,而使用不同斜切角的衬底进行外延生长的工艺不同.在1.2°小切角的4H-SiC离轴衬底上采用化学气相沉积(CVD)法生长同质外延薄膜.为了改善外延薄膜的表面形貌,对生长温度、原位表面处理和C/Si比这三个重要的生长参数进行了优化.利用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)观察外延薄膜的表面形貌,发现较高的生长温度和较低的C/Si比可以有效降低缺陷密度和表面粗糙度.在生长前使用硅烷气体进行原位表面处理可以有效减小外延薄膜表面的台阶聚束效应.低温光致发光测试表明生长的外延薄膜质量良好.