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半导体学报(英文版)2000年第2期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 使用Monte Carlo模拟方法和器件振荡特性测试研究了异质谷间转移电子器件的直流隧穿特性和射频振荡性能与器件结构参数之间的关系.理论计算结果与实验数据间吻合得很好.在此基础上提出了通过电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 在488nm的Ar+激光激发下，Si覆盖的部分氧化多孔硅(POPS)的光致发光谱(PL)在1.78eV处展示了一个稳定的PL峰，它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度.使用X射线衍射、Raman...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 从固态组分控制方面，对AlGaAs的常压金属有机物气相外延(AP-MOVPE)生长技术进行了研究.首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了AlGaAsAP-MOVP...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 用气态源分子束外延法制备了Si/SiGe/Si npn异质结双极晶体管.晶体管基区Ge组分为0.12，B掺杂浓度为1.5×101 9cm-3， SiGe合金厚度约45nm.直流特性测试表明，...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 在恒流应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性，研究了TDDB的击穿机理，讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响.对相关击穿电荷QBD进行了实验测试和分析，研究结果表明：相关击穿电荷QBD除了与氧化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行MOSFET电路设计所必需的.在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米MOSFET衬底电流的解析模型，模型公式简单.对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 利用自己开发的二维数值深亚微米SOI器件模拟软件，较为详细地分析了沟道长度小于o.2μm的 SOI器件的阈值电压特性、穿通和击穿特性、亚阈值特性以及直流稳态特性等.通过这些模拟和分析计算，给...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 提出了基于二维Poisson方程的薄膜SOI降低表面电场(RESURF结构解析物理模型.并在该模型基础上，给出了一种分析薄膜SOI RESURF结构击穿电压的方法.利用这一方法计算了漂移区长...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 从理论上对电子辐照在4H-SiC中引入的缺陷数量和各种缺陷能级进行了分析.结果表明，EH6和EH7缺陷能级在4H-SiC中起着有效复合中心的作用.采用SRH模型来估计电子辐照下4H-SiC的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 分析了影响CMOS SRAM单粒子翻转效应的时间因素，指出不能仅根据临界电荷来判断发生单粒子翻转效应与否，必须考虑器件的恢复时间、反馈时间和电荷收集过程.给出了恢复时间和反馈时间的计算方法，...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 研究了不同偏置条件对PMOS探头样品辐照响应的影响.在－1～1MV/cm的电场范围内，获得了偏置对PMOS剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律.利用“空穴陷阱薄层(Hole Traps S...
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15. 有机多层白光发光二极管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 以四苯基二胺衍生物(TPD)为空穴传输材料，以蓝光染料酚基吡啶铍(BePP2)、黄光染料红荧烯(Rubrene)、绿光染料8-羟基喹啉铝(Alq3)分别为蓝、绿、红三基色染料，采用多层结构制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 以提高生产成品率为目标，利用神经网络的非线性和容错性，对半导体芯片生产过程进行了分析和优化，具体内容如下：(1)使用神经网络方法建立模型，确定生产线上工艺参数和成品率之间的映射关系，构造以工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅，提出添加非晶Si的新方法，并探索了Co/Si/Ti/Si及Co/Si(×7)/Ti/Si多层薄膜固相反应的两种途径.实验采用四探针、XRD、RBS等多种...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 以PBGA焊点形态成形CAD和焊点热疲劳寿命可靠性CAD研究为例，提出SMT焊点形态成形和可靠性一体化设计思想，并对其实现方法进行了分析研究，给出了具体实现步骤和研究结果.
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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