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半导体学报(英文版)2002年第2期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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8
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 报道了分别用三带和全带模型蒙特卡罗方法模拟纤锌矿相GaN体材料输运特性的结果,并对基于两种模型的模拟结果进行了比较.在低场区,基于两种模型获得的输运特性基本相同,但在高场区却表现出明显的差别...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 利用MOCVD技术在提高生长温度(900℃)下生长出了高质量的立方相GaN,生长速度提高到1.6μm/h.高温生长的GaN样品近带边峰室温光荧光半高宽为48meV,小于在830℃下生长的Ga...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型.发现对于厚氧化层的p-MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化,随着栅电压降低,退化机制由氧化层俘获向界面态产生转变,而薄氧化层没有这种情况,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 提出了一种产生2.4GHz正交本地振荡信号的方法.它将LC-VCO和两级环路振荡器两种结构组合起来以实现正交输出的低相位噪声压控振荡器.LC网络是由在片对称螺旋型电感和差分二极管组成的.详细...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 设计实现了一个高效的线长模式下基于多处理机的并行总体布线器.通过对非时延驱动模式下串、并行算法的总运行时间和求解时间的比较,表明该并行算法能够在保证求解质量无明显变化的前提下大大加快总体布线...
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6. 铟镓氮薄膜的光电特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜,并对其进行了X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试.确定该薄膜为单晶,其中In组分可以从0增加到0...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 利用低压MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了GaN,用离子注入法掺入Mg杂质,退火后,进行光致发光测量,观察到显著的蓝光发射和黄带发射.光谱分析给出了与注入Mg离子相关的GaN禁带中能级的精细...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 用传输线模型对n型AlGaN(n-AlGaN)上Au/Pt/Al/Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量.在850℃退火5min后,测得欧姆接触电阻率达1.6×10-4Ω·cm2.经X射...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 报道了采用富Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的新工艺,对所生长的晶体作了X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜.通过光致发光 (PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和...
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11. 光照对阈值电压均匀性的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 研究了光照对砷化镓阈值电压均匀性的影响.结果表明光照使耗尽型MESFET器件的沟道电流增大,使阈值电压向负方向增加,并提高了阈值电压的均匀性.研究认为砷化镓单晶材料的深能级缺陷是影响MESF...
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12. BPM方法在SOI结构中的应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用交错隐式算子分裂(ADI)算法,设计、实现了一种高速、高精度的波束传播方法(BPM )来模拟SOI波导中不同偏振态的光传输,研究了PML边界层的选取对虚传播计算基模和基模传播常数的影响,...
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13. 紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用腔量子电动力学(QED)方法,定量讨论了平面结构微腔半导体激光器的自发发射特征物理量随腔结构的变化规律.在微腔半导体激光器自发发射因子调制、自发发射寿命调制以及一些实验依据的基础上,提出...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算非对称线性缓变P-N结击穿特性.由于非对称线性缓变P-N结是单扩散P-N结的一个恰当近似,因而,研究其击穿特性可以更好地理解和设计功率器件P-N结的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法,并结合Statz、Angelov等经验模型的描述方法,提出了常温下针对4H-SiC射频功率MESFET的大信号非线性电容模型.此模型在低漏...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS...
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18. 一种有效的IC成品率估算模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 从缺陷造成电路故障的机理出发,给出了芯片故障概率和成品率的计算新模型.利用IC功能成品率仿真系统XD-YES对实际电路XT-1成品率参数的提取,同时利用新模型进行计算,其结果与实际结果符合很...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用二维TMA Medici模拟软件对SOI结构的串扰特性进行了分析.模拟发现随着频率的增加,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用,同时,连接SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 利用动态掩膜腐蚀技术,研究了HF/CrO3腐蚀液对各种不同组分的AlxGa1-xAs(x＝0.3,0.5,0.65)的腐蚀速率及腐蚀表面形貌.随着HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 研究了CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能.CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K×4的并行结构体系,其地址取数时间为30ns,芯片尺寸为3.6mm×3.84mm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 采用纳米级二氧化硅代替国际上惯用的三氧化二铝作磨料,解决了抛光液的悬浮问题,得到了很好的抛光表面.采用无金属离子的有机碱作络合剂及pH调制剂,使用了无金属离子的氧化剂解决了铜离子沾污问题和制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 简介并分析最近几年半导体学科基金项目申请和资助的发展趋势以及2001年半导体学科基金申请与资助概况,并附2001年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科技工作者参考.
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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