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半导体学报(英文版)2003年出版文献
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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241. 新型薄膜SOI高压MOSFET的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 研制了两种薄膜SOI高压MOSFET,一种是一般结构,另一种是新的双漂移区结构.两者的栅宽均为760μm,有源区面积为8.58×10-2mm2,测试表明其击穿电压分别为17V和26V,导通电...
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242. 一种新的光学临近校正方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 提出了一种新的光学临近矫正算法.首先建立了一套高效并且适用性强的规则描述,然后提出了一种新的规则运用方法.算法在规则数据表的基础上通过v-SVR方法建立规则描述同矫正数据之间的数学表达式,使...
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243. 注C+外延硅的光致发光特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 在N型外延硅中注入C+并经高温退火形成了SiC沉积.不同条件下进行阳极氧化腐蚀后,在260nm光激发下获得了340nm和430nm的紫外和紫光峰,它们的单色性很好,半高宽(FWHM)约为10...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 利用离子注入法将磁性离子Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的GaN薄膜中,获得了稀磁半导体(Ga,Mn)N.光致发光谱结果显示由于Mn的注入,使GaN中常见的黄带发射被大大抑制.在反...
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245. p型GaN材料的表面物理特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 运用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段对表面状态不同的p-GaN样品进行了分析.在样品表面制作了Ni/Au电极并进行了I-V特性测试.实验结果表明样品表面镓氮元...
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246. 面向对注氢硅片中微结构的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 利用MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 分析了工艺制作过程中引入的阵列波导相位误差以及由其所引起的非相邻通道间串扰性能的劣化,给出了相应的分析公式.利用该公式,可以简捷地分析所设计的AWG型器件的非相邻通道串扰水平,为优化AWG型...
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249. 基于矢量光场的VCSEL数值模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 提出了一种基于矢量光场的氧化层限制型VCSEL的数值模型,在综合考虑激光器中电场方程、热场方程、载流子方程的前提下,采用矢量方程对器件中的光场分布进行描述,计算表明所得结果能够更合理地反映器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 通过AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的实验得到了凸出的Ti膜氧化物高度与偏置电压成线性关系,并和针尖扫描速度成负对数关系,在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,分析得到了合...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法.利用该方法,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并...
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252. 热光Si共振腔型可调谐滤波器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 报道了利用Si基键合技术和化学机械抛光工艺制作的垂直结构的Fabry-Perot可调谐滤波器,调谐机理为pn结正向注入电流引起的热光效应.调谐范围可达23nm,响应时间约为300μs,并给出...
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253. MOS环振式数字加速度传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 提出了一种新的环振式数字加速度传感器,它采用做在硅梁上的MOS环形振荡器作为敏感元件,两个反方向变化的环振输出信号通过集成在片内的混频器实现频率相减.该传感器具有准数字输出、灵敏度高、温度系...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 提出了一种12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的电流舵D/A转换器实现电路.12位DAC采用分段式结构,其中高8位采用单位电流源温度计码DAC结构,低4位采用二进制加权电流源DAC结构,该...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 提出了一种在标准数字CMOS工艺条件下,提高片上螺旋电感性能的实用方法,以及在缺少双层多晶硅电容的情况下,可以大大节约芯片面积的一种电容实现方法.介绍了这两种方法在电路设计中的一种应用,即利...
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256. 影响全息光刻图形质量的因素刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行了数值模拟计算,讨论了记录介质显影前后特性的改变和再现时全息掩模复位精度对光刻图形质量的影响,并找出了影响图形质量的主要因素.在此基础上设计...
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257. 一个集成电路工艺诊断实例刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年12期页码:摘要： 介绍了一种计算机自动PCM(process control module)工艺参数分析系统,可用于集成电路制造过程中的工艺诊断和分析.在具体处理上应用了主成分分析方法,能够从大量数据中提取其...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应.
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259. 纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发.它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点,已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 在有效质量包络函数理论的框架下,经过坐标变化给出了椭球形纤锌矿结构CdSe量子点的哈密顿量并对其电子结构和光学性质进行了计算.给出了电子和空穴能级随椭球横纵比变化的图形并对其做出了解释.对量...
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261. 原子力显微镜针尖同接触面的纳米压痕粘着力刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 建立了原子力显微镜(AFM)针尖同接触面的纳米压痕物理模型;根据Hamaker三个假设和Lennard-Jones 势理论,利用连续方法推导出针尖同接触面的纳米压痕粘着力表达式.针对Hama...
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262. 多孔硅技术在硅基微型燃料电池中的应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 多孔硅作为一种新型材料,利用其疏松多孔的特性及与IC加工的兼容性,将其用于硅微质子交换膜燃料电池的研究中,作为其电极扩散层.对多孔硅膜的性能、制备工艺及多孔硅膜表面金属淀积工艺进行了研究,提...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性.条宽为100μm、腔长为1.6mm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 对传统平行极板MEMS压控电容的局限性进行了理论分析,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容.它的特点在于使用了三对极板,其中的一对是电容极板,另外两对是控制极板.电容极板用于传输交流信...
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265. 三色碳纳米管场发射灯的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到...
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266. 碳纳米管的场发射特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 研究了碳纳米管的场致发射特性,实验证明碳纳米管作为场发射阴极材料具有优越性.通过对碳纳米管进行温度处理,得到了与基片附着力强的碳纳米管;测试了场发射特性,发现碳纳米管其开启电压较低(30V)...
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267. 从微电子到纳电子刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 从器件优值(功耗-延时积)出发,在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时,讨论了从微电子到纳电子的演变本质;同时指出,信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性.最后对纳电子学与...
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268. 纳米尺度加工技术概述刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 介绍了两大类纳米尺度加工技术--高分辨率技术和工艺流程控制形成纳米尺度技术.其中高分辨率技术是微电子光刻技术的延伸,包括高效率高成本并完全兼容现有IC工艺的极紫外光刻技术(extreme u...
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269. 使用纳米硅薄膜技术改进现有硅器件的性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)拥有一系列物性.以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能.探讨了使用纳米硅薄...
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270. 亚100nm多栅MOSFET的三维模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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