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半导体学报(英文版)2003年第11期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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8
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 集成电路工艺发展到深亚微米技术后,互连线串扰问题变得越来越严重,尤其在千兆赫兹的设计中,耦合电感的影响不能忽略.插入屏蔽的操作成为减小耦合电感噪声的有效方法.文中首先介绍共面、微带状线和带状...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 利用金属有机化合物气相外延技术研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外延生长及器件制作,重点比较了具有不同AlGaN层厚度的HEMT器件的静态特性.实验发现具有较薄Al...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 六边形发射极的自对准InGaP/GaAs异质结具有优异的直流和微波性能.采用发射极面积为2μm×10μm的异质结双极型晶体管,VCE偏移电压小于150mV,膝点电压为0.5V(IC=16mA...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 利用表面微机械技术,成功制作了1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器.原型器件在50V的调谐电压下,调谐范围为90nm.该技术可以用于制作1.3μm Si基可调谐光探测器.
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5. 窗口型极小孔激光器的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 报道了一种窗口型的用于高分辨率近场光学存储领域的极小孔激光器.这种窗口结构的引入解决了出射端面处由于金属膜的存在而导致的pn结短路问题,同时一定程度上抑制了激光器腔面处的COD效应.简化了极...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化.在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数.在软击穿后,输出特性和转移特性只有小的改变.在软击穿发生时,漏端的电流和域值电压的退...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 用0.35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2.5GHz LC VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/f噪声的影响.为了减...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 介绍了一种32位对数跳跃加法器结构.该结构采用ELM超前进位加法器代替进位跳跃结构中的组内串行加法器,同ELM相比节约了30%的硬件开销.面向该算法,重点对关键单元进行了晶体管级的电路设计....
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9. 晶体硅中的铁沉淀规律刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经1100℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响.红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低,而且其尺寸较大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外HCl来改善GaN外延薄膜质量的方法,并且讨论了额外HCl和氮化对GaN形貌和质量的影响.两种方法都可以大幅...
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11. 晶片键合界面应力分布的理论分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 根据双金属带的热应力分布理论,推导了晶片键合以及薄膜键合的界面应力分布公式.对影响晶片键合的剪切应力、正应力以及剥离应力的分布特性进行了讨论.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 利用Al/SRO/Si MOS,对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究.用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过C-V测量研究其电荷俘获性质.发现对于...
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13. 两端固支多层梁吸合电压的解析模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 运用能量法分析了两端固支多层梁在静电作用下的弯曲情况及发生吸合现象时,梁中央的归一化位移β和对应的吸合电压VPI,得到了β和VPI的解析表达式.用Coventor软件中的CoSolveEM模...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 介绍了一种制作在低阻硅(3～8Ω*cm)上的悬臂式RF MEMS开关.在Cr/Au CPW共面波导上,金/SiOxNy/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理.当开关处于"...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 分析了扭臂驱动结构的上电极端部位移与外加电压之间的关系,提出了一种具有倾斜下电极的驱动结构,并通过倾斜一定角度的(111)硅片的各向异性腐蚀制作了倾斜下电极.理论分析和实验结果表明,倾斜下电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 针对频率合成器的高速数据调制应用,采用误差反馈结构,设计了一个用于直接ΔΣ调制频率合成器的5bit 4阶ΔΣ调制器.该结构能简化多bit量化器的设计,不会对调制输入信号产生采样延迟.通过在传...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 研制了利用直线法设计的基于GaAs衬底上的Mach-Zehnder行波光调制器.波导层使用了场诱折射率改变量较大的非对称多量子阱结构,采用脊型波导,并湿法刻蚀出台面以消除波导区以外的载流子引...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 基于CMOS器件的离散性机理及误差消除对策,研究了高速、高精度嵌入式CMOS数/模转换器(DAC)IP核的设计与实现.采用行、列独立译码的二次中心对称电流源矩阵结构,优化了电流源开关电路结构...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 采用斜极化法研制了电光聚合物光波导偏振转换器,分析并设计了器件的45°斜角电极化结构,并基于DR1/PMMA电光聚合物材料,对器件进行了制作.所研制的偏振转换器,由TE模到TM模和由TM模到...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 采用ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚SiO2陡直刻蚀技术的研究,利用双层掩膜技术解决了"微掩膜现象"问题,刻蚀获得12.4μm的陡直SiO2光波导剖面,并将这一刻蚀技术用于阵列波导...
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21. 用于综合PWM芯片的并行遗传算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年11期页码:摘要： 提出了基于遗传算法的脉冲宽度调制(PWM)芯片的自动综合方法.为保证综合结果准确实用,对电路性能的评价基于HSPICE的仿真结果,提出的并行遗传算法采用了电路划分和参数关联技术,并运用互联网...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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