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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. BIG结构的可调谐分布布拉格反射激光器
    作者： 周帆 张静媛 朱洪亮 王圩 王宝军 赵玲娟 陆羽
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  113-116
    摘要： 提出并制作出一种可调谐BIG-RW结构的激光器,该激光器包括两个不同耦合系数的Bragg光栅.激光器的阈值电流为38mA,输出功率大于8mW,可调谐范围是3.2nm,边模抑制比(SMSR)大...
  • 2. 采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性
    作者： 何平 李志坚 林羲 王曦 田立林 董业民 陈猛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  117-121
    摘要： 通过局域注氧工艺,在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI三种结构的器件.通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性.模拟和测量的结果证明DSOI器件与SOI器件相比,具有衬底热阻较低的优点...
  • 3. 0.275μm nMOST's中陷阱辅助隧穿电流对漏端LDD区DCIV谱峰的影响
    作者： 刘东明 杨国勇 王金延 许铭真 谭长华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  122-126
    摘要： 应用direct-current current voltage(DCIV)和电荷泵(change pumping)技术研究了LDD nMOST's在热电子应力下产生的界面陷阱.测试和分析的...
  • 4. 直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为
    作者： 毛凌锋 许铭真 谭长华 霍宗亮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  127-132
    摘要： 基于一阶速率方程,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为.通过对应力电流的拟合,发现存在三类缺陷产生的前身.更进一步的统计实验显示,在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之间存在着明确的关...
  • 5. 一种紧缩型的SOI 3-dB多模干涉耦合器
    作者： 严清峰 余金中 刘忠立
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  133-136
    摘要： 采用线锥形结构,在silicon-on-insulator (SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型3-dB多模干涉耦合器(MMI).与普通的矩形结构3-dB MMI耦合器相比,该器件长度...
  • 6. 质子交换铌酸锂波导MMI光功分器
    作者： 王明华 马慧莲
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  137-140
    摘要： 利用三维非旁轴近似光束传输法对退火质子交换铌酸锂渐变折射率分布波导中的自镜像效应进行分析与模拟.在此基础上,利用退火质子交换技术在X切Y传铌酸锂衬底上进一步制作了1×8 MMI光功分器.测试...
  • 7. 一个基于层次式PB角钩链结构的区域布线器
    作者： 张轶谦 张雁 洪先龙 蔡懿慈 谢民
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  141-147
    摘要： 提出一个新的基于层次式PB角钩链结构的多层无网格布线器.该布线器基于PB层次式角勾链数据结构和网块扩展算法,使用朝向目标的加速策略提高算法的运行速度,并使用改进的二叉区间树管理算法的中间数据...
  • 8. 原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究
    作者： 周大勇 孔云川 封松林 澜清 牛智川 苗振华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  148-152
    摘要： 研究了分子束外延中引入原子氢后,原子氢对外延层表面形貌特征形成的诱导作用.原子力显微镜(AFM)测试表明,在(311)A GaAs表面,原子氢导致了台阶状形貌的形成,在这种台阶状表面进一步生...
  • 9. 氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响
    作者： 余学功 李红 杨德仁 阙端麟 马向阳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  153-156
    摘要： 研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶体原生粒子(COP)在腐蚀后分别用微分干涉...
  • 10. 射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光
    作者： 张德恒 王卿璞 薛忠营
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  157-161
    摘要： 用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜.在室温下进行光致发光测量,观察到明显的紫光发射(波长为402nm)和弱的紫外光发射 (波长为384nm).紫光发射源于氧空...
  • 11. 波长可调谐聚合膜/无机膜异质结电致发光
    作者： 姚建铨 蒋业文 谭海曙 陈立春
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  162-167
    摘要： 针对聚合物电致发光材料缺乏可用的电子型聚合物半导体材料的现状,采用无机电子型半导体材料ZnO∶Zn与空穴型聚合物材料PDDOPV[poly (2,5-bis (dodecyloxy)-phe...
  • 12. GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响
    作者： 吴正龙 周大勇 孔云川 李永平 杨锡震 澜清 牛智川 王亚非 田强
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  168-172
    摘要： 用分子束外延(MBE)设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结,通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节,得到最大调节量为0.2e...
  • 13. 氧化铝模板法制备Ge纳米线
    作者： 侯崐 叶好华 叶志镇 吴贵斌 涂江平 赵炳辉 黄靖云
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  173-176
    摘要： 采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出Ge纳米线.在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂,合成了Ge纳米线.采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对Ge纳...
  • 14. LP-MOCVD生长ZnO薄膜的氧源
    作者： 叶建东 张荣 施毅 朱顺明 秦锋 胡立群 郑有炓 陈童 顾书林
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  177-182
    摘要： 使用CO2、O2氧源得到了ZnO择优取向薄膜样品,实验证实了小尺寸的交流高压离化器件确实能够为低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)生长ZnO薄膜提供有效的离化氧源支持.运用电晕放电...
  • 15. Cd1-xZnxTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用
    作者： 冯良桓 张静全 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 蔡道林 邵烨 郑家贵
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  183-188
    摘要： 用共蒸发法制备了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,薄膜结构属立方晶系空间群F43m.通过透射光谱的测量,计算光能隙,得到室温时薄膜的光能隙随组分x值的变化满足二次方关系.作为对异质结界面的修饰,...
  • 16. 多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构
    作者： 刘卫丽 林成鲁 林青 沈勤我 谢欣云 门传玲
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  189-193
    摘要： 为减少自加热效应,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOI新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非...
  • 17. 具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性
    作者： 方健 李肇基 罗卢杨 罗萍
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  194-197
    摘要： 提出了一种具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS,借助2D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析,结果证明该结构在与RESURF结构相同的耐压下,具有器件长度小,漂移区浓度高,导通电阻小...
  • 18. 带保护环结构的条形X光阵列探测器
    作者： 张秀荣 杜树成 王传敏 王光甫 田晓娜 盛丽艳 谢凡 韩德俊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  198-202
    摘要： 研究了带有保护环结构的条形X光阵列探测器,结果表明,保护环的存在不仅降低了表面漏电,而且抑制了耗尽区的侧向扩展.厚度为300μm的探测器样品,切割后的"死区"长度为150μm;环境温度为18...
  • 19. 改进结构的64位CMOS并行加法器设计与实现
    作者： 孙旭光 来逢昌 毛志刚
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  203-208
    摘要： 介绍了一个用于高性能的微处理器和DSP处理器的快速64位二进制并行加法器.为了提高速度,改进了加法器结构,该结构大大减少了加法器各级门的延迟时间.基于改进的加法器结构,有效地使用动态复合门、...
  • 20. 微波功率双极晶体管热分布的二维数值模拟及功率密度非均匀设计
    作者： 叶红飞 张利春 张树丹 蔡勇 金海岩 高玉芝
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  209-215
    摘要： 利用双极晶体管的热电耦合模型对微波功率双极晶体管进行了二维直流稳态模拟,并且提出了功率密度非均匀的设计方法.模拟和实验的结果说明,采用微波功率晶体管功率密度非均匀设计可有效提高器件电流密度的...
  • 21. AlN薄膜室温直接键合技术
    作者： 吴雁军 安正华 徐政 林成鲁 门传玲
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  216-220
    摘要： 采用离子束增强沉积技术在100mm硅片上制备大面积均匀AlN薄膜,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足直接键合的需要.同时,采用智能剥离技术成...
  • 22. GaAs微条粒子探测器的辐照特性
    作者： 史常忻 朱美华 邵传芬
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  221-224
    摘要： 设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器.该探测器结构采用金属-半导体-金属结构,其主要几何尺寸是:微条长度为17mm,宽度分别为20、50、100、200、300μm.该探测器...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

被引趋势
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学科分布
研究主题
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