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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. 用氧化多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器
    作者： 刘忠立 刘焕章 宁瑾 葛永才
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  449-453
    摘要： 提出了一种新的工艺方法制备硅基电容式微传声器.用氧化多孔硅作牺牲层制备空气隙,用约15μm厚的浓硼掺杂硅作为微传声器的刚性背极板.采用该方法制备的微传声器,在500Hz至11kHz的工作频率...
  • 2. 双层有机电致发光器件有机层厚度优化的数值研究
    作者： 张旭 张磊 彭应全
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  454-460
    摘要： 在陷阱电荷限制电流传导理论的基础上,提出了双层有机电致发光器件的数值模型,研究了结构为"阳极/空穴输运层(HTL)/发光层(EML)/阴极"的器件中电流密度和量子效率随有机层的特征陷阱能量、...
  • 3. 薄膜SOI温度传感器中的少数载流子排斥效应
    作者： 刘百勇 李斌 郑学仁 黎沛涛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  461-465
    摘要： 在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器,并具有令人满意的特性:即使在0.1mA的低偏置电流下,器件的最高温度工作温度仍能达到550℃.实验结果分析说明,当硅膜足够薄时,普通电阻结构...
  • 4. 用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化设计
    作者： 倪昊 徐元森
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  466-471
    摘要： 论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触...
  • 5. 用于2.4GHz无线局域网收发机的CMOS混频器
    作者： 池保勇 石秉学
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  472-475
    摘要： 描述了采用CMOS工艺技术,用于2.4GHz无线局域网收发机的上变频器/下变频器的实现.由于采用class-AB类工作模式的输入级,该下变频器具有很高的线性度.同时,该输入级也完成了输入阻抗...
  • 6. GaP1-xNx混晶的光致发光谱
    作者： A.Mascarenhas 吕毅军 张勇 杜武青 辛火平 郑健生 高玉琳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  476-480
    摘要： 通过GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的低温光致发光(PL)谱,探讨了N在不同组分GaNxP1-x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分(x=0.05%～0.81%)下,GaNx...
  • 7. 玻璃中半导体CdSSe量子点的界面态发光
    作者： 刘惠民 吴畅书 桑丽华 王一红 田强
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  481-484
    摘要： 研究了玻璃中半导体CdSSe量子点的界面态发光.在10K温度下,通过PL和吸收光谱实验,研究了半导体CdSSe量子点,并进行了变温测量.分析了半导体量子点的量子尺寸效应、温度对PL和吸收光谱...
  • 8. 形变超晶格的位错模型与粒子的退道效应
    作者： 周小方 林钧锋 罗诗裕 邵明珠 马如康
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  485-489
    摘要： 引入位错模型讨论粒子的退道效应.把超晶格的沟道偏折等效为位错引起的沟道弯曲,并对刃型位错的退道行为作了具体分析.利用正弦平方势,把粒子运动方程化为具有外力矩的摆方程,用能量法分析了系统的相平...
  • 9. 大直径直拉硅片的快速热处理
    作者： 余学功 杨德仁 马向阳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  490-493
    摘要： 主要研究了快速热处理(RTP)对大直径直拉(CZ)硅片的清洁区(DZ)和氧沉淀的影响.通过在Ar、N2、O2三种不同气氛中,在不同温度下RTP发现在大直径CZ硅片中氧沉淀的行为及DZ的宽度与...
  • 10. 铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长
    作者： 张富强 彭长涛 林兰英 陈诺夫
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  494-498
    摘要： 采用一种新的生长铁磁/半导体异质结材料的方法--物理气相沉积方法生长了一种铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si.对所获得的样品进行特征X射线能谱分析表明Mn和Sb在Si衬底上的沉积速率相近,...
  • 11. 等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜
    作者： 冯勇 刘丰珍 刘金龙 朱美芳 汪六九 韩一琴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  499-503
    摘要： 采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜,通过Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质.结果表明,与单纯的热丝和等离子体技术相比,等离子...
  • 12. 6H-SiC Schottky二极管的正向特性
    作者： 刘忠立 尚也淳 王姝睿
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  504-509
    摘要： 提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的SiC Schottky二极管(SBD)正向特性模型,势垒的不均匀性来自于SiC外延层上的各种缺陷,而界面层上的压降会使正向Scho...
  • 13. 超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析
    作者： 田豫 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  510-515
    摘要： 提出了一种新的器件结构--非对称Halo LDD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析...
  • 14. Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性
    作者： 李明 欧文 钱鹤
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  516-519
    摘要： 对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧(top oxide)和底氧(bottom oxide)的厚度对O...
  • 15. 用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究
    作者： 亢宝位 吴郁 吴鹤 贾云鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  520-527
    摘要： 针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究,得到了全面系统的研究结果,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快...
  • 16. F-I类比方法及MEMS梁的等效电路宏模型
    作者： 戎华 李伟华 黄庆安
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  528-533
    摘要： 建立了一种基于力-电流(F-I)类比、适用于梁结构机电耦合系统小信号时域及频域分析的等效电路宏模型,与已有的基于力-电压(F-V)类比的等效电路宏模型相比,基于F-I类比的等效电路宏模型的电...
  • 17. 用新的电路形式提高HBT光调制器驱动电路的传输速率及性能
    作者： 刘训春 石瑞英
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  534-538
    摘要： 在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低...
  • 18. 一种改进的近似平方算法的VLSI实现
    作者： 李侠 章倩苓
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  539-543
    摘要： 提出了一种适用于Viterbi算法的改进的近似平方算法--二阶近似算法.该算法最大相对误差(maximum relative error,MRE)和平均相对误差(average relati...
  • 19. 基于关键面积的冗余集成电路成品率分析
    作者： 段旭朝 赵天绪 郝跃 马佩军
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  544-549
    摘要： 利用关键面积的思想分析了冗余电路的成品率,并给出了其计算模型.实例模拟表明,与传统的成品率分析方法相比,该模型预测IC成品率具有更高的精度.
  • 20. SOC布图设计中的互连优化算法
    作者： 洪先龙 王一博 蔡懿慈
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  550-555
    摘要： 使用Elmore时延模型,对二端连线的缓冲器插入方法进行了详细的讨论.给出了最小时延下,缓冲器的最佳数量和位置;同时给出了在一定时延约束条件下的缓冲器的最小数量及位置;并在典型的0.18μm...
  • 21. 内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序
    作者： 李煜 李瑞伟 王纪民
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年5期
    页码:  556-560
    摘要： 以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并且编程加以实现.

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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