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半导体学报(英文版)2005年第8期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数进行...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 根据TCAD软件模拟的最优工艺条件成功研制了高压nMOS器件.测试结果表明器件的击穿电压为114V,阈值电压和最大驱动能力分别为1.02V和7.5mA(W/L=50).详细比较了器件的模拟结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 利用化学湿法选择技术和监控电极技术设计并研制了一种新型台面结构超薄基区AlGaAs/GaAs负阻异质结双极晶体管,该器件具有独特且显著的电压控制型负阻特性,其峰谷比可高于120.通过器件模拟...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 报道了关于并行光发射模块的设计与制作.优化设计、制作并测试了12信道并行光发射模块,单信道传输速率可达3Gbit/s.采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器作光源,激光器与驱动电路芯片直接...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件.器件在波长1.55～1.60μm范围内,3dB带宽大于10GHz,直流消光比...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 利用蒙特卡罗分析法对GaAs flash ADC的成品率及其关键参数的灵敏度进行了定性及定量的分析.当器件阈值电压的标准偏差增大时,flash ADC的DNL,INL性能会以近似线性的关系降...
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7. 矩形缺陷轮廓的成品率模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 现有成品率及关键面积估计模型中,假定缺陷轮廓为圆,而实际缺陷轮廓为非规则形状.本文提出了矩形缺陷轮廓的成品率模型,该模型与圆模型相比,考虑了缺陷的二维分布特性,接近真实缺陷形状及IC版图布线...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的AlxGa1-xAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)进行了高温湿法氧化.由于AlxGa1-xAs层的氧化产生了应力而导致Al2O3/GaAs界面处出现...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 通过分析频率综合器的完整三阶闭环s域模型,同时采用根轨迹分析技术,定量分析了工艺、电压和温度引起的环路参数变化对频率综合器稳定性的影响,并提出变化裕量的概念来进行稳定性分析和参数设计.为了获...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 用0.25μm CMOS工艺实现一个复杂的高集成度的2.5Gb/s单片时钟数据恢复与1:4分接集成电路.对应于2.5Gb/s的PRBS数据(231-1),恢复并分频后的625MHz时钟的相位...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 提出了一种新型漏电保护芯片,使用0.6μm CMOS工艺、数模混合信号设计.与传统的漏电保护芯片相比,该设计功耗低(10mW),数字延时响应确保控制保护的精确性,且实现了多功能集成(如漏电/...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 应用微波光电导衰减仪的方法研究了在不同温度情况下引入铁沾污后再分别进行磷吸杂和等离子体增强化学气相沉积钝化处理对铸造多晶硅片电学性能的影响.实验发现:在中、低温(低于900℃以下)情况下被铁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应,分析了1×109～2×1013cm-2,2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池.结果表明,随辐照注量增大,电池Jsc,Voc,Pmax衰降程度增...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO:Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2 at%时,ZnO(00...
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15. YAG激光晶化多晶硅刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的实验结果,其中主要针对以PECVD法制备的不同硅基薄膜(如非晶硅和微晶硅)为晶化前驱物,以及对激光能量的利用等问题进行了分析研究.实验...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析这些样品,比...
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17. 微晶硅太阳电池刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 采用VHF-PECVD技术制备了系列微晶硅太阳电池.综合测试结果表明:硅烷浓度、热阱温度和前电极都对微晶硅太阳电池的性能有影响.在湿法腐蚀的ZnO衬底上制备的电池的效率比在ZnO/SnO2复...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 采用一种优化阶符的二进制数据表示方法,达到了减小LS-DSP内串行分布式计算滤波器的动态功耗的目的.实验结果表明,该方法可有效减小LS-DSP内串行分布式计算滤波器10%的动态功耗.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器敏感芯片,采用SIMOX技术的SOI晶片,在微加工平台上通过低压化学气相淀积法(LPCVD)均相外延硅测量层、浓硼离子注入...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 以多级弯曲磁微梁执行器为研究对象,先采用梁的模态函数线性组合来逼近梁的变形曲线,然后利用磁路定律,考虑了在宏观磁执行器中忽略的磁芯磁阻,建立了考虑力-磁耦合的非线性方程组,克服了以往的磁微执...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaN p-i-n光电探测器的物理模型,分析了多种结构AlGaN p-i-n光电探测器的光谱响应,并讨论了AlGaN/GaN异质结界面极化效应对太阳盲区p-G...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 与折射率耦合分布的分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性.本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 采用GG-NMOS结构的ESD保护电路的工作原理和对其进行的ESD实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果.通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的2级标准.在模拟的基础...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 介绍了ISO 14443标准中IC卡到读卡机通信的信号特征和解调方法,提出了一种新颖的调幅波解调电路的基本原理和电路实现.芯片测试结果显示:电路在2.5～5.5V下都能稳定可靠的工作,工作温...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 给出了一种用于密码芯片以提高芯片抗功耗攻击能力的"功耗平衡"加法器,它运行时工作功率与运算数据无关.对新设计与相关原设计芯片的功率样本进行显著性检验,在样本数为283的情况下,前者的最低显著...
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26. 一种简化的光调制器驱动电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 在采用IC-CAP提取异质结双极晶体管器件的VBIC模型参数的基础上,设计出形式简洁的光调制器驱动电路.电路功耗仅为500mW,在2.5GHz信号下平均上升时间和下降时间(10%～90%)分...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 设计了一种用于10/100Base-T以太网收发器的频率综合器电路.该电路自适应工作在10和100Mbps两种模式下,并能自由切换.电路采用cascode电流源、差分对称负载延迟单元等优化结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 建立了标准CMOS工艺电感在片测试寄生参量模型.实验验证了相同频率时,信号线寄生的串联电阻、串联电感、并联电容与信号线的长度成正比.进而针对不同外径电感到焊盘之间信号线长度不同,采用相同去嵌...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 根据硅各向异性腐蚀在微观尺度下的特点,基于元胞自动机理论提出了新的腐蚀模拟模型.该模型考虑了腐蚀过程中硅不同晶面的晶体结构特点,并通过引入碰撞理论,综合反映了腐蚀温度和浓度对腐蚀的影响作用....
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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