论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 半导体学报(英文版)期刊 >
半导体学报(英文版)2006年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
分享
投稿
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
分享
文章浏览
目录
-
121. 表面镀铜悬浮厚单晶硅螺线MEMS电感刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 报道了一种由悬浮在玻璃衬底上的表面镀铜平面单晶硅螺线构成的新型MEMS电感,可消除衬底损耗及减小电阻损耗.采用一种硅玻璃键合-深刻蚀成型释放工艺并结合无电镀技术制作该电感,形成厚约40μm的...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 从有理分式拟合方法出发,提出了用于射频CMOS平面螺旋电感2-π等效电路模型参数提取的新方法.通过比较提参后等效电路给出的S参数和实验测量的S参数,证明该方法的精度很高.此外,提参的策略非常...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 提出了有机掺杂电致磷光器件中主体(TPD)与客体(Ir(ppy)3)间的能量转移几率表达式,并对能量转移过程进行了讨论.结果表明:(1)三态激子能量转移率(KHG,KGH)随主客体分子间距离...
-
124. 短腔长单模量子级联激光器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器...
-
125. 与单模光纤高效耦合的超辐射二极管优化设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 为了提高脊波导结构的超辐射二极管(SLD)与单模光纤的耦合功率,研究了有源区与脊之间的残留层和上光限制层的厚度对SLD输出功率和近场光斑的影响.考虑了注入载流子横向分布的不均匀,较准确地计算...
-
126. 谐振式光纤陀螺开环响应测试刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 谐振式光纤陀螺是基于光学Sagnac效应来测量载体旋转角速度的一种新型传感器.利用调相谱检测技术,建立了谐振式陀螺的开环响应测试系统.利用自行研制的锁相放大器和反馈控制电路,得到了线性度很好...
-
127. 基于热光效应的1×4聚合物数字光开关刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 提出了基于热光型聚合物的集成有S弯曲光衰减器的1×4 Y分叉数字光开关.利用开关与光纤阵列耦合用的S弯曲,将其设计成可变光衰减器,这使得器件更紧凑,并获得低串扰和大分叉角.在小于200mW的...
-
128. 30Gbit/s并行光接收模块刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 报道了一种基于CMOS工艺接收电路芯片和GaAs工艺1×12光电探测器阵列的30Gbit/s并行光接收模块.该模块采用并行光通信方案,利用中高速光电子器件实现信号的高速传输.直接使用未经封装...
-
129. 用于视网膜修复的光电脉冲频率调制电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 提出了一种用于视网膜修复的脉冲频率调制电路结构.该电路产生频率正比于入射光强度的电脉冲序列.论证分析了该电路的基本特性,并基于0.6μm CMOS工艺进行了流片.仿真结果表明,该电路可以应用...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 基于3D元胞自动机方法实现了影像成形、曝光、后烘和光刻胶刻蚀过程等集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻过程模拟模块的集成.模拟结果与已有实验结果一致,表明基于3D元胞自动机方法的后烘和光...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/a-Si量子点多层结构,...
-
132. ZnSe纳米晶材料的超快吸收谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 通过改进的溶剂热方法,以KBH4作为还原剂,在三乙胺溶液介质中制备了ZnSe纳米晶材料.与ZnSe体材料相比,其纳米材料的稳态吸收边发生了蓝移,而且纳米颗粒的尺寸越小,蓝移量越大,这是由于随...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜.利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜等对多晶GeSi薄膜的晶体质量、表面形貌进行了表征,研究了...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 考虑双层减反射膜材料的折射率色散效应,采用光学干涉矩阵法计算了SiO2/ZnSe和SiO2/ZnS两种GaAs太阳电池双层减反射膜的反射率与波长的函数曲线,以及加权平均反射率随着顶层减反射膜...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REduced BULk Field)的新耐压技术,并设计了一例具有n+浮空层的REBULF LDMOS新结构.新耐压机理...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(soft breakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式--类渗流导电公式.该公...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥...
-
138. 紫外写入技术制备光波导器件研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 研究了采用PECVD方法生长的Si基SiO2波导材料的光敏特性.经过高压载氢处理,利用KrF准分子激光脉冲(工作波长为248nm)在波导材料中诱导出的折射率变化量达到0.005,相对值约增加...
-
139. 聚合物绝热分叉型数字热光开关刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 利用有机聚合物材料的电光效应和热光效应研究并制作2×2绝热分叉波导数字型光开关,采用光纤直接耦合方法测量了器件在1.31μm红外光通信波段的数字开关特性.
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 采用FRESNEL光学软件和MATLAB软件,详细分析了垂直腔面发射激光器的TO封装组件对耦合效率的影响.发现增加耦合透镜的折射率、减少管帽的高度和耦合透镜的尺寸可以提高耦合效率.
-
141. 微机电系统扭转微镜面驱动器的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 提出了一种新颖的采用键合减薄工艺制作的微机电系统扭转微镜面驱动器,该种微镜面驱动器工艺制作简便可行.通过对研制的微镜面驱动器进行测试,该驱动器在18V驱动电压时可以达到0.3°的扭转角度,微...
-
142. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年4期页码:摘要：
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响,给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域.用肖特基钳位理论解释了合金温度过高导致Voffset偏大的现象....
-
144. 硅基螺旋电感的几何参数设计和优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 使用三维电磁场模拟的方法对相同硅衬底结构下不同布图结构的螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变电感匝数、电感金属的宽度和间隔以及电感的内径,模拟和分析了电感性能的变化.给出了引起电感性能变化的原...
-
145. 1V以下基于Vgs权重的CMOS恒压源刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 提出了一种新型CMOS恒压源的制作方案,它基于nMOS和pMOS的饱和区栅源电压随温度变化权重不同的原理,将两者做相关运算,得到零温度系数的恒压源.该电压源没有采用二极管和寄生三极管,并用S...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 基于对CMOS差分放大器的非线性和元件失配理解的基础上,提出了一种应用于低电压CMOS差分放大器的失调取消技术.这种技术在不需要增加功耗的基础上,通过把输出端的失调电压转移到差分放大器的其他...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 介绍一种简单而有效的提高集成电路稳定性的电路补偿方法.当电路制造过程中的工艺参数、工作电压或工作温度发生变化时,根据仿真结果,该方法可以使MOS晶体管跨导的标准差比未经补偿的电路降低41.4...
-
148. 电场中束缚极化子刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 采用线性组合算符及幺正变换方法研究了电场对量子阱弱耦合束缚极化子的性质的影响.推导出量子阱中束缚极化子的基态能量和库仑束缚势、电场和阱宽的变化关系.数值计算结果表明,基态能量因电场和库仑束缚...
-
149. MBE生长的InP DHBT的性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 报道了一种自对准InP/InGaAs 双异质结双极晶体管的器件性能.成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件,其峰值共射直流增益超过300,残余电压约为0.16V,膝点电压仅为0.6...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法,这种改进的遗传算法可用于提取SOI MOSFET模型参数.用这种方法提取了基于中国科学院微电子研究所开发的标准的1.2μm CMOS/...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
