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半导体学报(英文版)2007年第3期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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1. 热丝法氢处理多晶硅锗薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 优化了热丝法氢处理多晶硅锗薄膜工艺条件.通过测试材料暗电导的温度特性得出多晶硅锗材料的电导激活能,从而考察氢处理效果.结果表明,采用此技术可有效减少多晶硅锗薄膜中的缺陷态.在优化氢处理时衬底...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线.结果表明,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 为了抑制异质栅SOI MOSFET的漏致势垒降低效应,在沟道源端一侧引入了高掺杂Halo结构.通过求解二维电势Poisson方程,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压解析模型,并对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构.RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 实现了一个适用于短距离无线系统的低功耗ASK中频接收机电路.该接收机包括一个用于补偿信道衰减的自动增益控制环和一个ASK检波器.自动增益控制环中采用了新型的限流跨导器和带前馈的差分峰值检测器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p+(SiGeC)-n-n+异质结功率二极管,并对n-区的杂质分布梯度进行了优化.基于MEDICI,给出了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 基于测试对snapback应力引起的栅氧化层损伤特性和损伤位置进行了研究.研究发现应力期间产生的损伤引起器件特性随应力时间以近似幂指数的关系退化.应力产生的氧化层陷阱将会引起应力引起的泄漏电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 介绍了增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路中元件参数值的提取方法,并利用IC-CAP软件EEHEMT1模型提取了参数.利用ADS软件验证了提参结果,ADS仿...
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10. 一种快捕获宽调节范围的锁相环刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 提出了一种快捕获,低抖动,宽调节范围的增益自适应锁相环的设计.在这个方案中,采用了双边触发的鉴频鉴相器(dual-edge-triggered phase frequency detecto...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 采用SMIC 0.35μm CMOS混合信号工艺,实现了同时适用于GSM/WCDMA的完整的基带.基带由双模的高线性度的四阶切比雪夫形式的有源RC低通滤波器以及三级可变增益放大器构成.滤波器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 提出了一种用于100/1000Base-TX收发器的频域均衡器和新颖的基线漂移消除电路.均衡器采用混和信号模式的自适应控制环路,系统优化使其性能不依赖于信道模型的精确性,控制环路稳定可靠,该...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 针对单芯片集成的TFT-LCD驱动芯片的特性,提出了在γ校正电路中加入两级驱动Buffef的驱动电路结构,以及提高其驱动能力的有效措施.对于具有13个驱动buffer的二级驱动电路,当由一个...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 采用华润上华微电子公司0.6μm CMOS工艺设计了低功耗神经功能电激励集成电路.该电路适用于以卡肤电极作为激励电极的可植入式神经信号桥接系统,可以用来激励脊椎动物的脊髓神经或其他神经束.电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 提出了一种混合FPGA新结构--新颖的AND-LUT阵列结构.其创新之处在于由可编程逻辑簇(Cluster)和相关的连接盒(CB)组成的可编程逻辑单元片(Tile)可以根据应用需要灵活地配置...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 利用两点Hubburd模型和Floquet理论,用数值方法求解了含时Sch(o)dinger方程,给出了电子-空穴局域于初始态的几率在20个驱动周期内的最小值,研究了在直流和交流电场驱动下耦...
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17. CdSe的相互作用势研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 提出了一种用于表征硒化镉(CdSe)性质、形式上类似于玻恩-迈耶模型的相互作用势,并用其研究了由压力引起的CdSe从四近邻的纤维锌矿向六近邻的岩盐矿结构的相变.利用该作用势得出了六配位数碱卤...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜进行C+注入,能量为30kev,剂量为2×1017 cm-2.对C+注入的SiNx薄膜在800℃的温度下,进行2h的常规炉退...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 提出了一个基于有效介质理论分析介孔硅层传热机理的理论模型,对影响介孔硅有效热导率的因素包括孔隙率、硅的恒容热容和硅的声子平均自由程进行了理论分析,得出用于计算介孔硅有效热导率的计算公式.采用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 在不同温度条件下,利用低压金属有机源化学气相沉积(LP-MOCVD)系统制备ZnO薄膜,对在氧源离化和非离化两种状态下生长的ZnO薄膜材料进行了相关的研究比较.通过X射线衍射(XRD)、原子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 采用微电子平面工艺,射频溅射Mo作肖特基接触,电子束热蒸发金属Ni作欧姆接触,三级场限环终端表面保护.并通过对Mo接触进行合理的高温退火,不降低理想因子和反向耐压特性情况下,有效控制肖特基势...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 在分析GaAs HFET/PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上,提出了电荷守恒的EEHEMT1模型,通过Cold FET测量技术,采用在片测试技术,结合窄脉冲测试技术,提出了GaA...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 通过疏水键合方法实现了InGaAsP/InP有源区与GaAs/AlAs DBR的单面和双面键合,并通过SEM,I-V曲线和反射谱、光致发光谱等手段研究了GaAs/InP键合界面的机械、光学和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 在采用光调制法测量光探测器芯片高频响应特性的过程中,测试系统往往忽视光调制器响应、高频探针衰减以及端口间失配等误差中的一项或几项.为了降低校准不完善对结果造成的误差,文中提出了基于信号流图的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 采用TSMC公司标准的0.18μm CMOS工艺,结合锁相环和延迟锁相环技术,设计并制作了一个全集成的2.5Gbps/ch并行时钟数据恢复电路.与传统并行数据恢复电路相比,该电路不需要本地参...
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27. 晶片直接键合所需表面粗糙度条件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 根据JKR接触理论,推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件,其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型.分析结果表明,晶片直接键合的条件与无量纲参数α有关...
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28. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年3期页码:摘要：
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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