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半导体学报(英文版)2008年出版文献
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 提出了一种改进后的缓冲氢氟酸溶液,成分配比为4份40%氟化铵溶液、1份40%氢氟酸和2份甘油.通过在牺牲层腐蚀过程中对腐蚀液加热和搅拌提高了其对氧化硅和铝的选择比,测定了氧化硅和铝的腐蚀速率...
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422. 宽度比对组合沟道结构牺牲层腐蚀特性的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 对宽度比对组合沟道结构的牺牲层腐蚀特性的影响进行了研究.从理论和实验两个方面,对不同宽度比的腐蚀特性进行了比较.结果表明,宽度比对窄-宽组合结构和宽-窄组合结构的影响不同.对于窄-宽组合结构...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用Ti/Al/Ni/Au多层金属体系在Al0.27Ga0.73N/GaN异质结构上制备了欧姆接触.分别采用线性传输线方法(LTLM)和圆形传输线方法(CTLM)对其电阻率进行了测试.当Ti...
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424. 外注入锁定对FP激光器强度噪声的抑制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用较强的外注入光锁定FP激光器,获得了理想的强度噪声抑制效果.在自由运转的FP激光器的弛豫振荡峰处,最大噪声抑制强度可达9dB.研究了注入光功率和频率失谐对于强度噪声抑制效果的影响.此外,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 应用保角变换法、镜像法、耦合模理论和电光调制理论设计了一种推挽电极聚合物脊形波导定向耦合电光开关,阐述了基本结构和工作原理,给出了器件的设计和优化过程,主要分析了耦合长度、开关电压、输出光功...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 设计了基于有源转换器的双频带射频CMOS功率放大器,该放大器可以应用于移动WiMAX系统.设计采用了0.13μmCMOS工艺并且所有的匹配完全集成在芯片内.转换器可以通过有源匹配而在双频带工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 为精确反映多种非理想因素对开关型∑-△调制器的影响,提高其在SIMULINK仿真器下的仿真精度,针对SIMULINK的行为级建模提出一种新的积分器模型.主要的改进之处包括:在运放模块中引入了...
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428. FPGA中专用可重构乘法器的设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 提出了一种新的嵌入在FPGA中可重构的流水线乘法器设计.该设计采用了改进的波茨编码算法,可以实现18×18有符号乘法或17×17无符号乘法.还提出了一种新的电路优化方法来减少部分积的数目,并...
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429. 射频薄膜体声波谐振器的研制和分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 研制了一种采用氮化硅/二氧化硅/氮化硅复合膜作为支持薄膜的高Q薄膜体声波谐振器.当采用单层氮化硅膜或二氧化硅膜作为谐振器的支持薄膜时,由于残余应力的作用,释放完的薄膜往往会出现褶皱的现象,极...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.为了达到高线性和稳定性,调制器采用2-1级联单比特的结构实现.电路在0.18μm CMOS工艺下流片验证,核...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 提出了一种带有精准调谐结构的有源RC低通滤波器的设计方案,其截止频率为5MHz,并在0.18μm标准CMOS工艺线上流片得到验证.调谐精度达到(-1.24%,+2.16%),测试中得到验证....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 介绍了一种应用于电池供电的无线内视镜系统的片上集成的电源管理单元.该电源管理单元使用标准的0.18μm CMOS工艺与基带处理芯片集成在一起.电源管理单元的集成减小了系统成本,方便了PCB的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复合.观察到在该结构中存在由量子阱到量子点的激子隧穿...
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434. Cu掺杂ZnO纳米结构的室温铁磁性研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用柠檬酸盐法合成了一系列Zn1-xCuxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04)纳米粒子,XRD结果表明Zn1-xCuxO样品为单一的ZnO纤锌矿结构.磁性测试结果表明Zn1-xC...
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435. ZnO纳米棒的低温生长及光致发光性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 采用化学溶液沉积法在ITO导电玻璃上制备近一维ZnO纳米棒.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征,研究了不同Zn2+摩尔浓度和不同生长时间对样...
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436. 非晶硅薄膜的红外热敏特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 用PECVD技术制备了不同掺磷比的非晶硅薄膜,然后退火改性.红外透射光谱揭示了薄膜内部的键合模式随生长工艺条件变化的规律;测量和分析了非晶硅红外热吸收及电阻温度系数与薄膜结构之间的关系.综合...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 基于SinoMOS 1μm 40V CMOS工艺设计了一种具有省电模式的CMOS反激式PWM控制器,其FWM振荡器具有变频模式和间歇模式,使得整个PWM控制器系统能随负载的变轻而线性降低开关...
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439. Ku波段30W脉冲微波功率放大器模块刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 报道了Ku波段30W脉冲微波功率放大器模块的研制.模块的微波放大链路由5级固态功率器件级联构成,采用新颖的双层腔体结构,消除了低频电路与高频电路的互扰.针对Ku波段内匹配MESFET设计了双...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL)....
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441. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年11期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器,采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT).给出了低噪声分布式放大器的仿...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件.文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激光器,通过载流子注入,器件准连续调谐范围为35nm,在调谐...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺.该ZnO焦平面阵列为128×128阵列,每个单元面积为25μm × 25μm,对该阵列的刻蚀结果进行了研究分析.刻蚀后阵列单元的剖面角约为80...
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445. 箱型光谱响应聚合物阵列波导光栅的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 通过减少奇数阵列波导的芯宽度,同时增加偶数阵列波导的芯宽度的技术,构造了箱型光谱-选用氟化聚芳醚FPE聚合物材料,设计并制备了17×17信道箱型光谱响应阵列波导光栅(AWG)波分复用器.测试...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 室温下采用RF磁控溅射技术在石英衬底E制备了多晶ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,通过XRD,AFM,AES,Hall效应及透射光谱等测试研究了RF溅射功率、氩气压强对薄膜的结构、电学和光...
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447. Be掺杂对ZnO电子结构和光学性质的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 基于密度泛函理论(DFT)第一性原理计算了Zn1-xBexO化合物的电子结构和光学性质.计算结果表明Zn1-xBexO带隙随掺杂浓度的增加而变大.这种现象主要是由于价带顶O2p随掺杂量x的增...
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448. 脉冲法电沉积SnS:Ag薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 用脉冲电沉积技术,在ITO玻璃基片上制备了SnS:Ag薄膜.用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的物相结构和表面形貌,结果表明SnS:Ag薄膜出现了新物相Ag6SnS6,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N窄位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAlAs/lnGaAs MHEMT器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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