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固体电子学研究与进展期刊
出版文献量（篇）
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固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM... 更多
主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）
出版文献量（篇）
2483
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  • 1. 磁电子学研究概述
    作者： 任天令 朱钧 韦丹 魏朝刚
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  377-383
    摘要： 简要介绍了磁电子学的基本概念、研究对象和几种重要效应,以及基于这些效应的几种新型器件的工作原理,提出了磁电子学研究中的几个前瞻性课题,对磁电子学的未来发展方向作了评述和展望.
  • 2. 光敏剂酞菁晶体能带结构研究
    作者： 孙岳明 张旭苹 李康 章舒
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  384-388
    摘要： 利用旋转对称性能带程序,首次计算了酞菁化合物真实结构的能带,讨论了层间距畸变和层间交错对能带结构及导电性质的影响.层间距畸变使能带宽度明显变小,层间交错角在22.5°时,带宽最小,带隙最大....
  • 3. 纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展
    作者： 何进 张兴 黄如
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  389-396
    摘要： MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战.文中讨论了纳米MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展,并...
  • 4. SiGe PMOSFET性能模拟
    作者： 孟令琴 毛峥 费元春
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  397-399,411
    摘要： 由于受热力学基本定律的限制,Si集成电路技术的发展已经日益接近极限,而SiGe材料的引入使得占据小于1 GHz频段的Si产品可以进一步覆盖2～30 GHz的RF和无线通信市场.根据前人的材料...
  • 5. 新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究
    作者： 沈绪榜 童建农 邹雪城
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  400-405
    摘要： 应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响.槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应...
  • 6. 基于BSIM3的超深亚微米器件建模及模型参数提取
    作者： 刘晓彦 杜刚 陈松涛 韩汝琦
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  406-411
    摘要： 对适用于超深亚微米电路模拟的MOSFET器件模型进行了研究,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于BSIM3的MOSFET模型.针对阈值电压模型以及I-V模型中的参数编写了模型参数提取程序,...
  • 7. 金属-半导体接触势垒高度的理论计算
    作者： 李书平 王仁智 蔡淑惠
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  412-415,453
    摘要： 采用平均键能作为参考能级计算了十种金属-半导体接触势垒高度,其计算结果与实验值的符合程度不亚于Tersoff和Mo ¨nch所采用的电中性能级方法,计算结果表明平均键能方法和Tersoff提...
  • 8. PDP器件中MgO薄膜二次电子发射系数γ的研究
    作者： 张青和 李青 王志强 蔡秋萍 许晓伟
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  416-420,446
    摘要： 结合等离子体显示器件(PDP)的放电机理,论述了PDP中MgO保护膜的二次电子发射过程:势能型发射和动能型发射.讨论了两种二次电子发射系数γ的测量方法和装置,在此基础上,建立了一套简单可行的...
  • 9. 一种适用于JPEG2000的高速MQ编码器的VLSI实现
    作者： 俞军 华林 周晓方 朱珂 章倩苓
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  421-426
    摘要： MQ编码器对于无损的数据压缩是一种非常有效的方法,它已被JPEG2000标准所采用.但该编码算法复杂度高,执行速度慢.文中提出了一种基于动态流水的高性能MQ编码器的VLSI结构.为了获得高速...
  • 10. 单片密码数据处理器系统级体系结构的研究
    作者： 于敦山 仇玉林 张怡浩 田泽 盛世敏
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  427-433
    摘要： 提出了一种单片密码数据处理器系统结构的设计,这些系统结构涉及到微处理器的体系结构、数据接口、用户身份识别接口、密码算法的专用部件、密码算法RSA和CHES的实现IP模块[1,2]以及伪随机数...
  • 11. 循环码纠错电路及其可重构分析
    作者： 李冰 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  434-440
    摘要： 数据在通讯传输和存储的过程中,采用纠错码技术可以保证数据的正确性.文中以BCH[7,4,3]码为例,研究了循环纠错码的构造原理和电路结构,提出纠错码电路可以建立在纠错码基核单元的基础上,重构...
  • 12. 基于电源树分布RLC模型估计同步切换噪声
    作者： 严晓浪 何乐年 何剑春
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  441-446
    摘要： 在超深亚微米(VDSM)工艺下,器件频繁的同步切换可在电源/地分配网络上形成大开关电流,影响VLSI的可靠性和信号完整性.文中提出一种估计电源树同步切换噪声的解析方法:利用事件驱动机制、节点...
  • 13. 液晶显示多行扫描驱动芯片设计
    作者： 应征 钟锐 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  447-453
    摘要： 多行扫描驱动方式具备低功耗、高对比度、响应速度快、串扰少、制造成本低和宽温度范围等优点,可大幅提高无源驱动的显示质量.文中采用Hadmoard矩阵作为基本正交函数,设计了4行驱动多行扫描芯片...
  • 14. 一种高可靠电流灵敏放大器设计
    作者： 张海清 李文宏 章倩苓
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  454-458
    摘要： 提出了一种带反馈放大器的电流灵敏放大器,将用于放大的NMOS管同时作为位线多路选择器(MUX),与一般的电流灵敏放大器相比,延迟时间更短,而且更适于低电源电压工作.同时分析了阈值电压失配对电...
  • 15. 异步Viterbi解码器同步接口的设计
    作者： 仇玉林 黑勇
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  459-463
    摘要： 提出了一种利用异步FIFO(First In First Out)连接异步逻辑电路与同步逻辑电路的方法,并设计实现了相应的异步FIFO电路,作为连接异步viterbi解码器和其他同步逻辑电路...
  • 16. 按比例缩小技术在微纳米中的挑战和对策
    作者： 李跃进 杨银堂 马群刚
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  464-469
    摘要： 按比例缩小技术是驱动集成电路发展的一项关键技术,在进入微纳米后出现了一系列的挑战.文中分析了按比例缩小在光刻技术、器件的亚阈特性、互连延迟以及功耗等方面面临的一些问题,同时从工艺、器件、电路...
  • 17. a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析
    作者： 林鸿生 马雷
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  470-475,495
    摘要： 通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态a-Si/c-Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析,着重阐述在a-Si/c-Si异质结太阳能电池中...
  • 18. 连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器
    作者： 冯荣珠 安振峰 康志龙 牛健 花吉珍 赵卫青 辛国锋 陈国鹰
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  476-479
    摘要： 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术成功生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱材料,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达2.36 W,中心...
  • 19. 通用光电二极管SPICE模型与特性分析
    作者： 李守智 田敬民 苏琦
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  480-483,513
    摘要： 提出一种普适光电二极管SPICE模型用于ANACAD ELDO电路模拟,并能分析其光源的光谱特性,比较ELDO模拟和器件数值模拟结果说明,该模型可成功用于光学微系统的电路模拟.
  • 20. MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT
    作者： 刘宏新 刘新宇 刘键 孔梅影 孙殿照 曾一平 李晋闽 林兰英 王军喜 王晓亮 胡国新 钱鹤
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  484-488
    摘要： 用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2...
  • 21. 非对称宽边耦合CPW微波滤波器的散射参数设计
    作者： 丁润涛 吴咏诗 王安国 陈蕾 马建军
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  489-495
    摘要： 非对称支持宽边耦合共面波导可看作是非均匀介质中的非对称耦合传输线,文中在非均匀介质中的非对称耦合传输线散射参数的基础上,推导出非对称宽边耦合共面波导的散射参数.利用所得散射参数研制了非对称支...
  • 22. 微机械陀螺传感器模型与接口电路的混合模拟
    作者： 熊斌 王跃林 车录锋 黄小振
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  496-499
    摘要： 根据微机械陀螺的动力学方程建立了组合微机械陀螺振动特性和电学特性的传感器等效电路模型,并通过电路模拟工具PSPICE对模型进行验证.利用该模型与接口电路的混合模拟,可以分析陀螺整个系统的工作...
  • 23. 低阈值电压RF MEMS开关的力学模型
    作者： 李拂晓 郑惟彬 金玉丰 黄庆安
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  500-503
    摘要： 采用大激励极板的螺旋型膜开关在保持优异的高频特性的同时,可以获得较低的阈值电压.但是对这种结构的设计缺乏足够理论分析.文中将在Ansys软件数值求解的基础上,研究缺口尺寸和开关阈值电压的关系...
  • 24. 电热激励微悬臂梁谐振器输出电压影响因素研究
    作者： 刘君华 朱长纯 韩建强 魏培永
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  504-507,519
    摘要： 制作了电热激励硅/二氧化硅双层微悬臂梁谐振器.对影响谐振器输出电压的因素研究结果表明:减小梁宽度、硅层厚度、环境气压和温度,可增大微悬臂梁谐振器输出电压;输出电压随激励功率增加而增大;谐振器...
  • 25. 热环境对微机械多晶硅薄膜电阻电特性的影响
    作者： 刘理天 岳瑞峰 徐扬 李志坚 董良
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  508-513
    摘要： 将CMOS工艺和微机械加工技术相结合,制作出悬空式微桥支撑、薄膜支撑以及无悬空结构的微机械多晶硅薄膜电阻.通过对样品的电阻温度系数(TCR)和电流(I)-电压(V)特性的测量,研究了热隔离程...
  • 26. 电容式MEMS开关中弹性膜应力对驱动电压的影响
    作者： 忻佩胜 朱自强 李炜 石艳玲 赖宗声
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  514-519
    摘要： 详细分析了多种参数对MEMS电容式开关驱动电压的影响,包括材料选取和工艺参数变化,并对驱动电压理论值进行计算.利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关,测试结果表明采用Al0.96S...
  • 27. 高密度封装用氮化铝(AIN)/玻璃复合材料低温共烧研究
    作者： 廖淼 戎瑞芬 李越生 汪荣昌 顾志光
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  520-525
    摘要： 从排胶和共烧两方面,研究了氮化铝(AlN)/玻璃复合材料的低温共烧.排胶研究结果表明:流延坯片和银浆的排胶特性不同,氧化性气氛有利于两者的排胶.共烧研究表明:AlN/玻璃复合系统的烧结为液相...
  • 28. WYD3134型GaAs单片五位数字移相器芯片
    作者：
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  525-525
    摘要：
  • 29. IC工艺中互连薄膜晶粒生长的实验和理论模型
    作者： 刘键 蒋聚小 郑国祥 黄榕旭
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年4期
    页码:  526-531
    摘要： 通过研究不同淀积温度下铝互连薄膜的晶粒形态,研究晶粒的生长规律.建立理论模型描述加热过程中薄膜晶粒的行为,可据此进行工艺模拟,对IC制造工艺进行事前评估.根据薄膜晶粒生长的机理,得到晶粒尺寸...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）

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