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固体电子学研究与进展期刊
出版文献量（篇）
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9851

固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM... 更多
主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）
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2483
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  • 1. 系统级电流使能控制结构的低功耗设计
    作者： 李永明 林敏 王海永 陈弘毅
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  249-252,261
    摘要： 电子系统功能的增加相应地使系统的功耗增加,而供电电池容量不能同步增加,导致电池的寿命很短,这个矛盾迫切要求电子系统的低功耗设计.提出了一种系统级电流使能控制结构,可广泛地应用在CMOS数模混...
  • 2. 一种新颖的1.5V CMOS 4FSK解调电路
    作者： 吴金 周震 张麟
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  253-255
    摘要： 为了减小4进制频移键控信号(4FSK)解调电路的复杂性,提高解调输出的准确性,文中提出了一种可以在1.5 V下工作,标准CMOS工艺实现的4FSK解调电路.该解调电路采用一个基准电压,利用绝...
  • 3. 用于2.5Gbps千兆以太网发接器的时钟倍频器设计
    作者： 洪志良 陈钰
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  256-261
    摘要： 提出了一种电荷泵锁相环电路实现的适用于2.5 Gbps千兆以太网发接器要求的高速时钟倍频器的设计方法.为了获得高速时钟,设计中采用了双环路的VCO结构,并且运用动态D触发器来实现高速分频器....
  • 4. 低功耗MPEG2解码电路的新VLSI结构研究
    作者： 吕华 王颀 邵丙铣
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  262-265
    摘要： MPEG2动态图像压缩解码电路中最关键的部分逆离散余弦变换(IDCT)模块是该研究领域的热点.文中提出了一种基于forward-mapping算法的IDCT VLSI结构,针对实际运用中ID...
  • 5. 一种高速单片机的设计实现
    作者： 姚素英 庞科 张为 张生才 李树荣 胡泽军
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  266-269,343
    摘要： 介绍了一种8位高速单片机的电路实现.该单片机采用RISC技术、哈佛结构、指令流水线、双数据总线、组合逻辑微控制器、进位链结构及机器周期为两倍时钟周期等方法,使设计的单片机在晶振为20 MHz...
  • 6. 适用于嵌入式五口SRAM的多频率内建自测电路
    作者： 俞军 华林 王佳静 章倩苓
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  270-275
    摘要： 提出了一种多频率带有扫描链的BIST方案,用于五口的32×32嵌入式SRAM的可测性设计.分析了多口SRAM的结构并确定其故障模型,在此基础上提出了一种名为"对角线移动变反法"(OMOVI)...
  • 7. 一种交叉耦合低功耗传输门绝热逻辑电路
    作者： 夏银水 汪鹏君 胡建平
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  276-280,338
    摘要： 提出了一种新的能量恢复型电路--Transmission Gate Adiabatic Logic(TGAL).该电路由交叉耦合的CMOS传输门完成逻辑运算与能量恢复,对负载的驱动为全绝热过...
  • 8. 新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器
    作者： 成立 高平
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  281-287
    摘要： 从改善不同类型IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发,设计了几例芯片间接口(互连)用CMOS/BiCMOS驱动电路,并提出了采用0.5 μm BiCMOS工艺,制备所设计驱动器的技术要点和元器...
  • 9. 开关电流双二次滤波器的设计
    作者： 曹政新 秦世才 贾香鸾 高清运
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  288-291
    摘要： 提出了一种开关电流双二次滤波器的设计方法,用该方法所设计的滤波器的特征频率ω0和品质因数Q只与MOS管的尺寸之比有关.通过调整MOS管的尺寸可改变滤波器的参数,电路级仿真表明所提设计方法正确...
  • 10. 一种高抗辐射的SOI电脉冲时间间隔测定电路
    作者： 孔荆钟 安涛 张新 高勇
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  292-295
    摘要： 研制出一种高抗辐射的SOI CMOS电脉冲时间间隔测定器集成电路.在阐述其工作原理的基础上,进行了抗辐射设计与版图设计.通过实验分析找到了向SOI材料的SiO2埋层注入F+离子的优化注入条件...
  • 11. 1～7GHz全单片低噪声放大器
    作者： 彭龙新 林金庭 蒋幼泉 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  296-300
    摘要： 一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功.此两级放大器的特点是,性能稳定,频带宽,噪声低,增益高而平坦,可直接由+5 V单电源供电,无需外加偏置电路,输入输出由MIM电容隔直,使用...
  • 12. 一种新型集成化X波段低噪声放大器
    作者： 严伟 洪伟
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  301-305
    摘要： 低温共烧陶瓷(LTCC)和倒装芯片(FC)是实现小型化、高可靠微波组件的一种理想的组装和互连技术.文中对带有埋置式电阻的LTCC微波多层互连基板和倒装芯片组装技术进行了研究,以研制出体积小、...
  • 13. 低阻硅基厚膜聚酰亚胺上共面波导的损耗特性
    作者： 忻佩胜 朱自强 李炜 石艳玲 赖宗声
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  306-310
    摘要： 制备了一种低阻硅基厚膜聚酰亚胺上的高性能共面波导传输线,并从理论上分析了传输线损耗的成因及其计算方法.聚酰亚胺膜厚11.5 μm的低阻硅(0.5 Ω·cm)上的共面波导传输线在10 GHz下...
  • 14. 近红外Si0.8Ge0.2/Si横向pin探测器的模拟与测试
    作者： 张世林 莫太山 郑云光 郭维廉 郭辉
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  311-315
    摘要： 设计了一种新型叉指状近红外Si0.8Ge0.2/Si pin横向光电探测器.采用半导体器件模拟软件Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟;对实际制作...
  • 15. 单晶硅太阳电池纳米减反射膜的研究
    作者： 于化丛 吴洪才 杨宏 王鹤 陈光德
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  316-319
    摘要： 报道了用热喷涂工艺制备单晶硅太阳电池纳米减反射膜的研究结果,讨论了衬底温度对TiOx纳米减反射膜结构及折射率的影响,优化了热喷涂的工艺条件,并研究了TiOx纳米减反射膜对单体太阳电池效率的贡...
  • 16. 光伏新材料--掺氮碳薄膜溅射制备技术及测试
    作者： 丁正明 周之斌 孙铁囤 崔容强 贺振宏
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  320-322
    摘要： 介绍了采用氮气离子束溅射,高纯石墨为靶材,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺技术.对薄膜的沉积过程作了讨论,采用X射线光电子能谱(XPS)技术等对薄膜结构成分、氮-碳、碳-碳原子之间的键以及结合能作...
  • 17. 用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS结构的机理研究
    作者： 林殷茵 汤庭鳌
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  323-328
    摘要： 分析了MFIS FET的工作机理以及影响MFIS电容的存储窗口特性的因素,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口特性,制备了Au/Cr/PZT/ZrO2/Si的MFIS结...
  • 18. 共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题
    作者： 侯志娟 张世林 梁惠来 牛萍娟 赵振波 郭维廉 郭辉
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  329-333
    摘要： 对作者研制的RTD进行了I-V特性测量,并重点分析了:(1)I-V特性的湿度效应;(2)负阻区"表观正阻"现象;(3)用负阻值估算开关时间.以上问题的分析对RTD的设计和研制有一定的指导作用...
  • 19. 多层介质膜MIM薄膜二极管的I-V特性研究
    作者： 张浩康 王震 钟锐 马俊 黄蕙芬
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  334-338
    摘要： 制备了一种用于有源矩阵液晶显示的具有对称结构、较好I-V特性对称性和较高电流通断比的MIM薄膜二极管.采用了基于反应溅射的多层膜工艺制备其Ta2O5绝缘层.采用原子力显微镜(AFM)对Ta2...
  • 20. 多层弯曲磁微执行器的有限元分析
    作者： 朱珂 黄庆安
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  339-343
    摘要： 首先简单介绍了多层弯曲磁微执行器的工作原理,然后建立了有限元分析的模型,并对模型进行网格划分.再利用泊松方程结合已知的边界条件求出各节点的磁势,从而进一步求出了上极板的弯曲量.最后,将有限元...
  • 21. 梳状谐振器的F-I类比宏模型及SPICE分析
    作者： 戎华 李伟华 闻飞纳
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  344-348
    摘要： 分析了双极板静电换能器在小信号激励下极板水平运动的情况,推导了适合于F-I类比的机电关系表达式.由于SPICE中没有对应此关系式的库单元器件模型,对包含有此换能器结构的系统很难进行完整的SP...
  • 22. 硅表面上的纳米量子点的自组织生长
    作者： 彭英才 李彦波 李社强 陈金忠
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  349-355
    摘要： 纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视.作为制备高质量纳米量子点的工艺技术,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐.而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点...
  • 23. 外延生长6H-SiC/Si薄膜的微结构研究
    作者： 李跃进 杨银堂 柴常春 贾护军
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  356-358
    摘要： 采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过APCVD工艺在Si(100)衬底上进行SiC薄膜生长时,严格控制缓冲层生长的工艺条件,即1 300°C碳化温度较高的C3H8饱和浓度,可以获得...
  • 24. 低气压高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究
    作者： 付俊兴 刘宁 徐新艳 杨桂杰 杨银堂 柴常春 王平
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  359-365
    摘要： 低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义.文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型,并利用"线"算法进行了数值模拟.与以往不同之处...
  • 25. 化合物半导体晶片和器件键合技术进展
    作者： 何国荣 谢生 陈松岩
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  366-371
    摘要： 半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用.文中详细叙述了近十年来Ⅲ-Ⅴ族化合物半导...
  • 26. 7～18GHz单片宽带大功率放大器
    作者： 张斌 李拂晓 蒋幼泉
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  372-372
    摘要：
  • 27. L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
    作者： 硅微波脉冲功率晶体管攻关组
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  373-373
    摘要：
  • 28. 8mm、1W固态功率放大器
    作者： 何庆国 王江
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  374-374
    摘要：
  • 29. 2003年Ei Compendex数据库工作会议
    作者： 景佩苏
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年3期
    页码:  375-376
    摘要：

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）

固体电子学研究与进展评价信息

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