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固体电子学研究与进展期刊
出版文献量（篇）
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9851

固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM... 更多
主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）
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2483
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  • 1. Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究
    作者： 孙国胜 曾一平 朱世荣 李晋闽 林兰英 王雷 罗木昌 赵万顺
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  135-138
    摘要： 在冷壁式不锈钢超高真空系统上,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅(3C-SiC)外延...
  • 2. InP基功率HEMT结构材料分子束外延生长研究
    作者： 商耀辉 武一宾 芮振璞 袁秀丽 陈昊
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  139-141,158
    摘要： 从3个层面研究了分子束外延Al 0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As/I nP功率HEMT结构材料生长技术.首先,通过观察生长过程的高能电子衍射(RHEED)图谱, 确立了...
  • 3. GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
    作者： 刘超 孔梅影 孙殿照 朱世荣 李建平 高斐 黄大定
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  142-144
    摘要： 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/S i材料的原位掺杂控制技术.采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料,可将...
  • 4. Si(111)湿法腐蚀后表面形态的FTIR研究
    作者： S.F.Y Li 叶建辉 吴孙桃 李静
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  145-148,182
    摘要： 运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术(ATR-FTIR),研究了Si(111)在不同比例的NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态.通过分析表面振动模型的偏振波长及红外粗糙因子,表明在较低...
  • 5. Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi2薄膜
    作者： Paul K.Chu W.Y.Cheung S.P.Wong 屈新萍 徐蓓蕾 李炳宗 茹国平 韩永召
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  149-154
    摘要： 研究了在Co/Ti/Si结构中加入非晶GeSi层对CoSi2/Si异质固相外延的影响,用离子束溅射方法在Si衬底上制备C o/GeSi/Ti/Si结构多层薄膜,通过快速热退火使多层薄膜发生固...
  • 6. 短沟道MOS阈值电压物理模型
    作者： 张文俊 杨之廉 谢晓锋
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  155-158
    摘要： 通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道MOS的阈值电压模型,得到的DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响 .模拟的结果能很好地与数值模拟器MINIMOS的结果符合.
  • 7. 深亚微米应变SiGe沟PMOSFET特性模拟
    作者： 杨荣 罗晋生
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  159-163
    摘要： 为研究深亚微米尺度下应变SiGe沟改进PMOSFET器件性能的有效性,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了0.18 μm有效沟长SiGe PMOS及Si PMOS器件特性.SiGe ...
  • 8. 场限环结构电压和边界峰值电场分布及环间距优化
    作者： 何进 张兴
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  164-169
    摘要： 采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论. 以单场限环为例,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式.讨论了不...
  • 9. MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质
    作者： 何宝平 关颖 周辉 张义门 郭红霞 陈雨生 韩福斌 龚仁喜 龚建成
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  170-174
    摘要： 通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质,用半导体器件模拟软件Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性.结果表明,对于NMOSFET,费米能级临近导带(N沟晶体管反...
  • 10. 时分多址(TDMA)通信系统频率源的研制
    作者： 孟令琴 毛峥 费元春
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  175-177
    摘要： 频率合成器是现代电子系统的重要组成部分,在通信、雷达、电子对抗、导航、广播电视、遥测遥控、仪器仪表等许多领域都得到广泛的应用.在雷达等通信设备中,它为发射机的调制器提供载频信号,也为接收机或...
  • 11. 性能优良的RCA微波功率晶体管
    作者： 叶红飞 张利春 张树丹 蔡勇 金海岩 高玉芝
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  178-182
    摘要： 首次采用多晶硅发射区RCA技术制备出微波功率晶体管.在工作频率为3.1 GHz时,该器件输出功率达到6 W,功率增益达到10 dB.与普通多晶硅发射区HF晶体管相比,此种晶体管具有电流增益h...
  • 12. 高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器
    作者： 刘伟吉 徐晓春 揭俊锋 敖金平 曾庆明 李献杰 王全树 郭建魁
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  183-185
    摘要： 叙述了高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能.用电流型逻辑和自对准工艺,D-触发器上升和下降时间都小于80 ps,静态分频器在0～8 GHz频率范围功能...
  • 13. 一种新颖的DC～50 GHz低插入相移MMIC可变衰减器
    作者： 俞土法 刘琳 戴永胜 杨立杰 林金庭 陈堂胜 陈效建 陈继义
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  186-188
    摘要： 介绍了一种新颖的DC～50 GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能.微波探针在片测试结果为:在DC～50 GHz频带内,最小衰减≤3. 8 dB,...
  • 14. 宽带GaAs MESFET开关模型
    作者： 徐全胜 李拂晓 蒋幼泉 郝西萍 陈效建 陈新宇 陈继义
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  189-192
    摘要： 提出了一种MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,具有很好的宽带微波特性.在0.1～20 GHz频率范围内,器件测试值与模型模拟值吻合较好.
  • 15. 碳化硅MPS的功率损耗特性分析
    作者： 吕红亮 常远程 张义门 张玉明 牛新军
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  193-198
    摘要： 采用解析模型模拟了4H-SiC混合PiN/Schottky二极管(MPS)的功率损耗及反向恢复,研究了外延层掺杂浓度和厚度、PN结网格宽度等主要的结构参数对该器件功率损耗的影响.模拟结果表明...
  • 16. 一种超低插损砷化镓射频开关
    作者： 李拂晓 杨乃彬 蒋幼泉 邵凯 钮利荣 陈新宇 黄念宁
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  199-201
    摘要： 报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关.该产品在820～950 MHz下, 插入损耗≤0.4 dB,回波损耗≥19.5 dB,反向三阶交调截距点≥67 ...
  • 17. 高成品率砷化镓DPDT单片射频开关
    作者： 李拂晓 杨乃彬 蒋幼泉 邵凯 钮利荣 陈继义 高建峰
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  202-204,245
    摘要： 采用砷化镓76 mm 0.7 μm离子注入MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓DPDT单片射频开关(以下简称单片开关). 该单片开关面积1 310 μm×1 250 μm,总栅宽36 mm...
  • 18. 软/硬件协同设计方法学研究的现状与分析
    作者： 仇玉林 汤磊 魏少军
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  205-209,245
    摘要： 通过简述集成电路工业的发展现状 ,引出软/硬件协同设计方法学研究的重要性,并阐释了软/硬件协同设计的主要概念.然后,着重介绍了目前各种有关国际成果和主流方向,并结合对相关领域问题的分析,深入...
  • 19. 一种高速低耗全摆幅BiCMOS集成施密特触发器
    作者： 张荣标 成立 李彦旭 董素玲
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  210-213,235
    摘要： 通过分析国外流行的一种BiCMO S集成施密特触发门,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS施密特触发器 .该器件中单、双极型电路优势互补,电源电压为1.5 V,实现了优于同类产品...
  • 20. SiGe沟道SOI CMOS的设计及模拟
    作者： 李树荣 王纯 王静 郑云光 郑元芬 郭维廉 陈培毅 黎晨
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  214-218
    摘要： 在SOI(Silicon on In sulator)结构硅膜上面生长一层SiGe合金,采用类似SOI CMOS工艺制作成具有 SiGe沟道的SOI CMOS集成电路.该电路不仅具有SOI ...
  • 21. 低电压低功耗ECL电路设计
    作者： 姚茂群 沈继忠 陈华华
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  219-224
    摘要： 首先指出了ECL电路随着集成度和速度的提高,存在着功耗太大的问题,进而提出了采用低电压电源以降低功耗,为此发展了将串联开关转换成并联开关的技术,保证了电路能在低电压下正常工作,并由此实现了适...
  • 22. 一种新型的绝热低功耗逻辑电路
    作者： 仇玉林 李晓民 罗家俊 陈潮枢
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  225-228
    摘要： 文中作者提出了一种新型的自举式 Adiabatic逻辑电路--Pass Transistor-Bootstrap Charge Recovery logic(PT-BCRL),该电路的操作分...
  • 23. MTJ MRAM的特性分析与设计
    作者： 刘忠立 尚也淳
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  229-235
    摘要： 对MTJ(磁隧道结)的GMR(巨磁阻)效应进行了分析.MTJ的结构、形态和工作条件会对GMR效应产生不同的影响.提出了一种4× 1位MTJ MRAM(磁存储器)的电路结构,每个MRAM的存储...
  • 24. SiO2-Si3N4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析
    作者： 刘伟平 张坤 易清明 钟雨乐 黄君凯
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  236-240
    摘要： 采用高频C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄SiO2膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构Si 3N4膜,两者组成的栅介质膜的陷阱特性(包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数) .结...
  • 25. 一种新颖的单片集成红外传感信号处理器
    作者： 易婷 洪志良 郭淦 陈一辉
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  241-245
    摘要： 介绍一种新颖的单片集成红外传感信号处理器.这种处理器能与多种红外传感器匹配,对接收到的传感信号进行处理,产生控制信号,快速启动各类装置,实现自动控制.芯片设计中采用多种抗噪声和低功耗设计技术...
  • 26. 107cm彩色PDP显示屏及模块
    作者： 陈向真
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  246-246
    摘要：
  • 27. 非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT
    作者： 李拂晓 焦刚 薛舫时 陈堂胜
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  247-247
    摘要：
  • 28. 基于砷化镓衬底的RF MEMS膜开关
    作者： 李拂晓 郑惟彬 黄庆安
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  248-248
    摘要：

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）

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