MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质

• 作者: 何宝平 关颖 周辉 张义门 郭红霞 陈雨生 韩福斌 龚仁喜 龚建成
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 费米能级 氧化物陷阱电荷 受主型/施主型界面态陷阱
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 器件物理
• 页码范围: 170-174
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2003.02.009

摘要

通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质,用半导体器件模拟软件Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性.结果表明,对于NMOSFET,费米能级临近导带(N沟晶体管反型)时,受主型界面态为负电荷,施主型界面态陷阱为中性,使界面态陷阱将引起的阈值电压漂移;而对PMOSFET,当费米能级临近价带(P沟晶体管反型)时,施主型界面态陷阱带正电荷,受主型界面态陷阱为中性,界面态陷阱将引起负的阈值电压漂移.理论模拟的转移特性与测试结果吻合.文中从器件工艺参数出发,初步建立了总剂量电离辐照模型,该模型对于评估器件总剂量加固水平提供了一种理论方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	周辉		84	938	16.0	26.0
3	龚仁喜	西安电子科技大学微电子所	13	185	10.0	13.0
4	何宝平		46	291	9.0	13.0
5	郭红霞	西安电子科技大学微电子所	81	385	10.0	13.0
7	陈雨生		36	433	11.0	19.0
8	关颖		9	60	4.0	7.0
9	韩福斌		12	56	4.0	6.0