MTJ MRAM的特性分析与设计

• 作者: 刘忠立 尚也淳
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 磁隧道结 磁存储器 磁阻率 磁化
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 硅微电子
• 页码范围: 229-235
• 页数: 7页
• 分类号: TN402
• 字数: 5587字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2003.02.023

摘要

对MTJ(磁隧道结)的GMR(巨磁阻)效应进行了分析.MTJ的结构、形态和工作条件会对GMR效应产生不同的影响.提出了一种4× 1位MTJ MRAM(磁存储器)的电路结构,每个MRAM的存储单元由一个MTJ和一个MOSFET构成, 用MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成MRAM数据的写入.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尚也淳	中科院半导体所微电子研发中心	2	12	2.0	2.0
2	刘忠立	中科院半导体所微电子研发中心	4	23	3.0	4.0