一种超低插损砷化镓射频开关

• 作者: 李拂晓 杨乃彬 蒋幼泉 邵凯 钮利荣 陈新宇 黄念宁
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓单片 单刀双掷 射频开关
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 射频与微波
• 页码范围: 199-201
• 页数: 3页
• 分类号: TN43
• 字数: 1531字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2003.02.016

摘要

报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关.该产品在820～950 MHz下, 插入损耗≤0.4 dB,回波损耗≥19.5 dB,反向三阶交调截距点≥67 dB m,隔离度≥15.5 dB,控制电压为(0,+4.75 V).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄念宁		13	32	4.0	5.0
2	蒋幼泉		34	192	9.0	11.0
3	李拂晓		60	352	10.0	14.0
4	邵凯		18	73	6.0	8.0
5	杨乃彬		18	95	6.0	8.0
6	陈新宇		26	101	7.0	8.0
7	钮利荣		9	17	3.0	3.0