适用于嵌入式五口SRAM的多频率内建自测电路

• 作者: 俞军 华林 王佳静 章倩苓
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 可测性设计 内建自测 寄存器堆 扫描链 故障模型 对角线移动变反法
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 硅微电子
• 页码范围: 270-275
• 页数: 6页
• 分类号: TN407
• 字数: 3834字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2003.03.006

摘要

提出了一种多频率带有扫描链的BIST方案,用于五口的32×32嵌入式SRAM的可测性设计.分析了多口SRAM的结构并确定其故障模型,在此基础上提出了一种名为"对角线移动变反法"(OMOVI)的新算法及其电路实现.与传统的"移动变反法"(MOVI)相比,在保证故障覆盖率前提下,测试图形的测试步数由原来的12Nlog2N减小为N/2+2Nlog2N(N为SRAM的容量).该方案集功能测试、动态参数提取和故障分析定位于一体,而且具有很强的灵活性和可扩展性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	华林	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	9	104	5.0	9.0
2	王佳静	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	2	6	1.0	2.0
3	俞军	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	33	352	10.0	18.0
4	章倩苓	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	72	481	12.0	17.0