低气压高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究

• 作者: 付俊兴 刘宁 徐新艳 杨桂杰 杨银堂 柴常春 王平
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 高密度等离子体 刻蚀轮廓 模型 数值模拟
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 359-365
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 4464字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2003.03.024

摘要

低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义.文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型,并利用"线"算法进行了数值模拟.与以往不同之处在于,模型中引入了掩模对入射粒子流的遮蔽效应和中性粒子在不同刻蚀表面的粘附系数的影响,使得模拟结果的准确性大大提高.论文最终还给出了要获得各向异性刻蚀的eVS/kTi和Γn0/Γi0的取值范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	王平	西安电子科技大学微电子研究所	32	201	9.0	12.0
3	柴常春	西安电子科技大学微电子研究所	80	592	15.0	19.0
4	付俊兴	西安电子科技大学微电子研究所	7	20	3.0	4.0
5	刘宁	西安电子科技大学微电子研究所	11	48	3.0	6.0
6	杨桂杰	西安电子科技大学微电子研究所	4	84	2.0	4.0
7	徐新艳	西安电子科技大学微电子研究所	5	51	3.0	5.0