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微电子学2018年第5期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 针对时域稀疏信号中的心电信号(ECG)、脑电信号(EEG)在大部分时间内幅度变化缓慢且周期性变化的特性,提出了一种带信号区间预测窗口的功耗调制型逐次逼近模数转换算法.采用该算法,可大幅减少S...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,采用可重构结构,设计了一种应用于北斗、GPS导航系统接收机的可切换双频段低噪声放大器.采用Cadence Spectre RF仿真器进行仿真和验证...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源.利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出电压.采用0.18 μm混合信号CMOS工艺进行设计与仿真....
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4. 一种高增益三级运算放大器刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 提出了一种高增益三级运算放大器.采用五管全差分、套筒式共源共栅、典型共源级结构作为运算放大器的放大级,采用共模抑制电路、频率补偿电路、高摆幅偏置电路,提高了运算放大器的性能.结果表明,在3V...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种应用于能量收集的自启动DC-DC升压转换器.系统包括两级升压结构,第一级自启动模块实现亚阈值电压输入,将电压升至可供第二级主升压结构使用...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 提出了一种温度系数低于1×10-6/℃的曲率补偿带隙基准电压源.采用正温度系数电压对具有互补温度系数的BJT射-基极电压进行1阶补偿,向BJT射极注入互补温度系数电流,在输出电流中引入曲率正...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 针对基于忆阻器构建的高效逻辑单元,利用忆阻器的特性,为异或逻辑提出了一种两步操作的实现方法.第一步,将异或逻辑操作使用的忆阻器数目减少为4个;第二步,改进电路结构,将操作步骤降低为两步.结果...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 提出了一种应用于原边反馈式反激变换器的电压采样电路.该电压采样电路通过三路依次采样,在不同模式下使用对应的算法,得到最接近真实值的采样值.仿真结果表明,在采样频率10 MHz的条件下,该电压...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 针对时钟分频系数较大的情况下,传统电路实现分频需要大量的寄存器,导致芯片功耗和面积增加的问题,提出了一种异步分频与门控时钟技术相结合的低功耗逻辑综合方案.基于HHGrace 0.11 μm ...
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10. 一种带补偿的电流采样电路刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 采用0.35 μm CMOS工艺,设计了一种电流采样电路.分析了传统senseFET电流采样电路中采样速度与采样范围之间的制约关系.提出了一种带有采样电流补偿的电流采样电路,通过注入补偿电流...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 功率管栅端寄生电容的存在使得LDO的电源抑制特性(PSR)在中高频段变差.在前馈纹波抵消技术的基础上,通过在误差放大器输出端与功率管栅端之间引入具有低输出阻抗的电压跟随器,拓展了PSR带宽,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 设计了一种融合控制码(K码)与数据码(D码)、具有无效K码检测功能的高速8/10bit编码器.深入研究了8/10 bit的编码特点以及K码与D码的内在相关性,提出了将K码融合于D码的改进编码...
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13. 一种快速瞬态响应无片外电容LDO刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 针对无片外电容LDO,在误差放大器与功率管之间添加缓冲器,采用频率补偿的方法,提高了环路稳定性.通过检测负载瞬态变化引起的误差放大器输出电压变化,增加对功率管栅极电容的充放电电流,提升了系统...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 异构双核SoC结构复杂,不同部分受到单粒子翻转(SEU)的影响程度不同.采用单一的技术对整个SoC进行加固,既浪费资源,效果也不好.根据不同部分受SEU影响的不同特点,选取SoC中受SEU影...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 提出一种基于FPGA的高熵真随机数发生器,采用非传统锁存器结构,并结合改进的随机数采集方法来获取真随机数.相对于FPGA上广泛采用的真随机数发生器,该高熵真随机数发生器具有较低的资源消耗.与...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 基于0.18 μm CMOS工艺,提出了一种低电源电压敏感度的环形振荡器电路.分析了电源噪声和衬底噪声的产生与耦合机制,以应对相位噪声的影响.对二级伪差分环形振荡器的电源电压敏感度进行了定量...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 设计实现了面向多通道阵列信号处理的可重构异构SoC.SoC集成了多通道阵列信号处理需要的多个硬件加速模块,有效提高了多通道阵列信号处理系统的计算能力.通过软件对各个算法模块的输入输出流向进行...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 采用45 nm SOI CMOS工艺,设计了一种应用于毫米波系统的宽调谐范围VCO.采用具有高Q值且长度可灵活设计的开关耦合传输线(SCTL)作为谐振腔电感,通过控制耦合开关改变传输线的等效...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 提出了一种应用于TDD射频收发机的本振泄漏片上数字补偿技术.在发射机中数模转换器前级的数字模块中插入一个数字预补偿单元,结合数字模块中的直流测量电路和补偿参数检测控制电路,构建了对发射机的本...
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20. 军用射频集成电路技术发展趋势刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 目前,美国仍然占据世界国防军事微电子科学技术的主导地位,是军用微电子发展战略思想的引领者.长期以来,美国国防高级研究计划局(DARPA)策划并成功组织实施了许多先进军用集成电路发展项目.射频...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 综合评述了硅基77 GHz汽车雷达收发芯片的技术背景、研究现状以及面临的挑战.首先,介绍了毫米波汽车雷达的频谱划分、制作工艺和雷达体制选择.在此基础上,总结分析了近十年汽车雷达收发芯片领域的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 分析了国内外深冷温度毫米波低噪声放大器(LNA)的发展现状.考虑到基础元器件结构在深冷温度下的行为,以及行为表征是电路设计的基础,对深冷温度基础元器件的模型和建模方法进行了讨论.对毫米波LN...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 研究了互连线延时对单粒子瞬态脉冲效应的影响.研究发现,随着互连线长度的增加,瞬态脉冲首先被展宽,在一定距离后,脉冲宽度衰减为零.基于此研究结果,提出了脉冲宽度随互连线长度变化的数学解析模型....
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET).该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层.利用P-BOT层的辅...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 为了改善LIGBT的关断特性,已有一种采用PMOS管来控制LIGBT阳极空穴注入的方法.在此基础上,提出了一种具有载流子存储效应的高速SOI-LIGBT结构.采用二维仿真软件MEDICI,对...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 利用椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜,研究了相同温度下不同退火气氛及压强处理对溶液旋涂法制备a-IGZO光学特性和薄膜微观结构的影响.实验结果表明,当退火气氛为O2时,压强由0.1 MPa增加到...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35 μm BCD工艺,在典型LDMOS-SCR(Dut1)基础上,制备...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 化学机械抛光(CMP)工艺中,选用了固定的抛光液组分,即3％体积百分比的FA/O型螯合剂、3％体积百分比的FA/O I型非离子表面活性剂、5％ SiO2.首先研究了不同抛光工艺参数,包括抛光...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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