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真空科学与技术学报2005年出版文献
出版文献量（篇）
4084
总下载数（次）
3
总被引数（次）
19905
真空科学与技术学报
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本刊是全国中文核心期刊，长期被EI、CA、SA等国际蓍名检索系统收录，已全文上网。本刊通过中国图书贸易总公司代理向国外发行。目前在美国、英国、德国、荷兰及我国的香港与台湾地区均有订阅，有一定的影响力。在国内各高等院校科学院所涉及到真空科学与技术论文都大多数向本刊投稿，已成为国内外关学者发表高水平科研成果的主要载体。
主办单位：
中国真空学会
ISSN：
1672-7126
CN：
11-5177/TB
出版周期：
月刊
邮编：
100022
地址：
出版文献量（篇）
4084
总下载数（次）
3
总被引数（次）
19905
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 利用光电子能谱研究了有机半导体并四苯(tetracene)与金属Ag(110)界面的相互作用特性和电子性质,UPS测量给出tetracene的价带结构,其价带顶(HOS)位于费密能级以下约2...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： SM-PDP中可以通过改变电极宽度,使放电空间的等位面沿电极增加的方向扩展,在等位面扩展的区域电场得到增强,从而改善SM-PDP的放电性能.但在性能改善的同时,相邻电极间的电感加大,输入功率...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 本文利用激光分子束外延(LMBE)技术在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长MgO薄膜,同时又在MgO(100)单晶基片上外延生长SiTiO3(STO)薄膜.通过反射高能电子衍射(RHE...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 根据气体放电特性和交流等离子体显示器的放电单元结构,提出了AC-PDP等效电路模型和表征该模型的3个特性参量:击穿电压、气体维持放电的最小电压和放电单元电容比.通过分析放电过程,推导出最大维...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 对以SiNx为衬基的X射线光刻掩模在背面刻蚀过程中的形变进行数值仿真,研究了Si片和衬基的各种参数对掩模最大平面内形变和非平面形变的影响.结果表明,参数的变化明显影响最大非平面形变量.当Si...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 定容式流导法微流量校准装置是气体微流量的计量标准,可采用定容法和流导法对气体微流进行校准,校准范围为(5×10-2～5×10-11)Pa·m3/s,合成标准不确定度为0.56%～1.7%.
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系,并用原子力显微镜(AFM)研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系.生长初始阶段,薄膜先形...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 电弧放电法实验制备了碳化硅纳米丝.在6 mm的石墨棒中心钻一个4 mm的孔,将50at.%C+50at.%SiO2的粉末充分混合,填入其中作电弧放电阳极,水冷铜靶作阴极,放电电流70 A...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用射频磁控共溅射法制备Ag-TiO2复合薄膜,通过控制Ag靶的溅射时间可调节Ag与TiO2的比例.所制备的Ag-TiO2薄膜为锐钛矿结构.通过紫外光照降解亚甲基蓝溶液和循环伏安法研究Ag-...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用扫描式差热(DSC)分析、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、梯度样品磁强计(AGM)和磁力显微镜(MFM),研究磁控溅射制备的Co80.8Nb14Zr5.2磁性薄膜,在485℃～...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 类金刚石膜在磁盘和读写磁头之上形成一层关键的保护膜.磁存储密度的飞速发展可以使存储密度上限达到1万亿字节/英寸2.这要求读写磁头距离磁盘更近,即需要一层仅1 nm～2 nm厚的类金刚石薄膜....
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 从理论上对光电阴极面发射电子过渡过程进行分析,光电阴极面电阻是影响光电发射过渡过程的主要因素.通过对光电阴极制备技术改造,使二代近贴聚焦像增强器的管子时间响应小于2ns.
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 用直流反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sb修饰TiO2薄膜,利用XRD,Raman光谱以及SIMS研究了Sb对其表面结晶情况的影响并用XPS及SIMS分析了薄膜的成分.结果表明一定程度Sb...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用电子束蒸发制备Mg-Zr-O复合介质保护膜,使用X射线衍射测试Mg-Zr-O复合介质保护膜的结晶择优取向,研究了ZrO2掺杂及工艺参数对Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的影响.结果表...
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15. Al诱导a-Si:H薄膜的晶化刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响.X射线衍射测量发现,由于Al的存在使a-S...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用Ti-Al复合靶在不同氮分压下制备了一系列(Ti,Al)N薄膜,用EDS、XRD、TEM和微力学探针表征了薄膜的沉积速率、化学成分、微结构和力学性能.结果表明,氮分压对(Ti,Al)N薄...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定电源功率、氩气流量42.6 sccm、氧流量15 sccm、溅射时间30 min的条件下,通过控制总气压改变TiO2薄膜的光学...
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18. 气离溅射离子镀制氮化钛刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 本文详细介绍了气体离子源增强磁控溅射(气离溅射)反应离子镀膜技术和系统配置.特别是首次提出空分气离溅射的新概念,实现了磁控溅射金属镀膜过程和气体离子轰击化学反应过程在真空室内空间上的分离,从...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长.由于采用悬臂式设计,它完全克服了高压短路的问题.电子束蒸发器的性能试验表明,稳定输出功率可以控制输出...
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20. 可变翼极高真空轨道分子屏研究刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 本文提出可变翼极高真空轨道分子屏的概念,建立了理论模型,推导出了压力表达式,计算了该分子屏的极限压力及压力曲线,翼长、翼角和压力的关系曲线.结果表明:可变翼极高真空轨道分子屏选择一定长度的翼...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 在本文中,我们建立了一个较完整的基于动力学晶格蒙特卡罗方法的模拟薄膜生长的三维模型,利用该模型我们研究了溅射沉积条件下粒子的沉积角度、沉积速率以及入射能量对Cu膜生长的影响.模拟结果表明Cu...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 为提高彩色等离子体显示器(PDP)的性能,研究了维持期辅助脉冲对PDP的亮度、亮度效能、功耗、白平衡、色温等参数的影响.实验结果表明,维持脉冲上升的同时加500 ns宽度的辅助脉冲,能同时提...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜.X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(简称BST)薄膜材料,研究了BST薄膜的组成、晶体结构、表面形貌及介电性能.介电偏压特性曲线和电滞回线都表明其具有铁电性,厚度为500 ...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 本文将一种基于多电子能量电子全息重现像加权叠加原理的方法,用于提高低能同轴电子全息的三维数值重现像分辨率,并以三层石墨晶体为样品进行了计算机模拟研究.结果表明,用该方法数值重现时可以有效地消...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 从理论上分析了CdS/CdTe/Au器件的暗态、高正偏压下电流饱和(Roll-over)和光照、高正偏压下光暗I-V曲线相交(Cross over)现象.通过对比有无插层的CdTe太阳电池在...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 利用朗谬尔探针诊断了ECR非平衡磁控溅射等离子体,给出了微观等离子体参量随宏观工艺参量变化关系.实验测得基片架附近等离子体密度达到1010～1011数量级,电子温度在(5～10) eV之间....
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 等离子体浸没离子注入(PIII)是用于材料表面改性的一种较新的、廉价的、非视线的技术.靶体被浸没在等离子体中,等离子体中的离子在靶体负脉冲偏压的作用下注入靶体而实现材料的表面改性.为了描述等...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 采用低能氮正离子(N+)对π共轭高分子聚[2-甲氧基-5-(3'-甲基)丁氧基]对苯乙炔(MMB-PPV)薄膜进行离子注入改性,注入剂量为9.6×1016 ions/cm2,能量为30 ke...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 应用等离子体浸没离子注入与沉积方法合成了磷掺杂的类金刚石(P doped diamond like carbon,P-doped DLC)薄膜.结构分析表明磷以微米级岛状结构分散于DLC薄膜...
真空科学与技术学报基本信息
| 刊名 | 真空科学与技术学报 | 主编 | 吴锦雷 |
| 曾用名 | 真空科学与技术 | ||
| 主办单位 | 中国真空学会 | 主管单位 | 中国科学技术协会 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1672-7126 | CN | 11-5177/TB |
| 邮编 | 100022 | 电子邮箱 | vst@chinesevacuum.com |
| 电话 | 010-58206280 | 网址 | |
| 地址 | 北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室 |
真空科学与技术学报评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
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