SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响

• 作者: 何慧强 厉策 王军 石青宏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘多晶硅:掺氧多晶硅 晶体管
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 专题报道(芯片生产工艺技术)
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 2117字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2003.04.021

摘要

通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石青宏		1	0	0.0	0.0
2	厉策		1	0	0.0	0.0
3	王军		1	0	0.0	0.0
4	何慧强		1	0	0.0	0.0