高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(下)

• 作者: 汪辉 翁妍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 栅介质薄层 高介电常数 电学结果
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 93-97
• 页数: 5页
• 分类号: TN304|TN386.1
• 字数: 3386字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.02.001

摘要

随着45 nm及32 nm技术节点的来临,高介电常数(high-k)材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的较好选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理性能和材料特性不仅导致了很多不可靠因素,还会造成电学性能的损失.简述了高k材料的一些电学性能以及频率变化的电荷泵技术在高k栅介质薄层探测到的缺陷深度,总结了高k材料的基本限制及主要问题,并且介绍了未来技术节点的可能解决方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪辉	上海交通大学微电子学院	33	81	4.0	7.0
2	翁妍	上海交通大学微电子学院	3	7	2.0	2.0