0.2～30GHz GaAs FET开关模型的提取与验证

• 作者: 刘帅 宋学峰 要志宏 赵瑞华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 开关 模型 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 347-350
• 分类号: TN454
• 字数: 1672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.05.004

摘要

在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,准确的器件模型对于提高电路设计成功率和缩短电路研发周期起着重要作用.首先采用标准的GaAs MMIC工艺制造出不同栅指数和单位栅宽的开关PHEMT器件,然后对加工的开关电路在“开”态(Vgs=0 V)和“关”态(Vgs=-5V)进行宽频率范围内的测量,基于测量结果建立起一个参数化的GaAs PHEMT开关等效电路模型,最后通过单刀单掷(SPST)开关来验证参数化模型.应用该参数化模型设计的电路实测与仿真结果基本吻合,证明参数化的GaAs PHEMT模型是可用的.该模型可用于30 GHz以下GaAs PHEMT工艺开关MMIC电路仿真设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	要志宏	中国电子科技集团公司第十三研究所	16	48	4.0	6.0
2	宋学峰	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	13	2.0	3.0
3	赵瑞华	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	39	3.0	5.0
4	刘帅	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	21	2.0	4.0