一种基于阻变单元特性的阻变存储器修复方案

• 作者: 李萌 林殷茵 陈刚
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变存储器(RRAM) 位修复 良率 阵列冗余 单元初始化
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与测试技术
• 页码范围: 150-153,163
• 分类号: TN402|TP333.8
• 字数: 2413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.02.014

摘要

针对新型阻变存储器(RRAM)工艺良率不高的问题,提出了一种新型的修复解决方案,该方案基于阻变单元的特殊性能,即初始状态为高阻,经过单元初始化操作过程后转变为低阻.利用这样特性的阻变单元作为错误检测位、冗余单元作为修复位,提出了三种不同的组织结构来实现修复操作.三种结构由于主存储器、检验位存储器及冗余存储器的组织方式不同,达到了不同的冗余存储器利用率.最后,通过数学分析可以证明,该方案在利用了较少冗余存储器的条件下,可以将阻变存储器的错误率普遍降低10 ～30倍,实现了较好的修复效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈刚	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	258	1907	19.0	33.0
2	林殷茵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	40	129	7.0	10.0
3	李萌	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	12	83	5.0	9.0