微波等离子增强型PVD低温溅射SiGe (C)薄膜

• 作者: 李可为
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子回旋共振等离子 SiGe (C)单晶薄膜 低温溅射 晶体质量 表面形貌
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 776-780,789
• 分类号: TN305.92
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.10.008

摘要

利用微波-电子回旋共振等离子(ECR)增强型PVD设备,低温外延生长了SiGe (C)薄膜.对所制备样品的结晶性、表面形貌和成分与衬底温度、衬底偏置电压的关系进行了讨论,采用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的晶体质量和表面形貌进行了分析.结果表明,用单靶制备Si(C)薄膜,在衬底温度为450℃时会得到质量较好的单晶薄膜.而利用双靶制备SiGe(C)薄膜,衬底温度为400 ℃、衬底偏置电压-15V时会制备出更好的单晶薄膜.在衬底温度为400℃条件下,添加电流导入端子,在原有设备和衬底温度不变的条件下,当电流导入端子电压为-15V时,制备的SiGe(C)单晶薄膜材料的AFM均方根粗糙度(Rrms)由原来的0.52 nm降低到0.41 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李可为	成都工业学院通信工程系	8	15	2.0	3.0