腐蚀工艺条件对InP晶片表面状况的影响

• 作者: 于妍 刘春香 杨洪星 赵权
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 腐蚀条件 腐蚀速率 形貌 粗糙度
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 772-775
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.10.007

摘要

对InP晶片的化学腐蚀特性进行了分析,研究了酸性腐蚀液(盐酸系列腐蚀液)的配比、腐蚀液温度等工艺条件对InP晶片腐蚀速率、表面腐蚀形貌和化学腐蚀片表面粗糙度的影响.研究结果表明,腐蚀液温度为室温时,改变腐蚀液配比,InP晶片的腐蚀速率变化不明显,而当腐蚀液温度发生变化时则腐蚀速率、晶片表面腐蚀形貌(显微镜下的表面状况)和化学腐蚀后晶片的表面粗糙度均有较大变化,当腐蚀液温度控制在一定范围时,晶片表面光洁,显微镜下观察到的腐蚀图形均匀一致.研究结果对确定InP晶体加工过程中的化学腐蚀工艺有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵权	中国电子科技集团公司第四十六研究所	30	136	6.0	9.0
2	于妍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	39	3.0	6.0
3	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
4	刘春香	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	79	5.0	7.0