石墨烯的SiC外延生长及应用(续)

• 作者: 吴华 孙信华 杨瑞霞 郝建民 陆东梅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 745-749,775
• 分类号: TN304.24|TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.10.001

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	郝建民	中国电子科技集团公司第四十六研究所	23	56	4.0	6.0
3	陆东梅	河北工业大学信息工程学院	7	8	2.0	2.0
7	孙信华	河北工业大学信息工程学院	2	1	1.0	1.0
8	吴华	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	11	2.0	3.0