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摘要:
介绍了金刚石多线切割设备的原理,并采用直径为250μm的金刚石线进行切割工艺实验。使用不同的工艺参数,比较了不同工艺参数对晶片TTV(整体厚度偏差)的影响,给出了实验比较结果,通过改变工艺参数可以使各切割片的TTV控制在25μm之内。
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文献信息
篇名 金刚石多线切割设备在SiC晶片加工中的应用
来源期刊 电子工艺技术 学科 物理学
关键词 金刚石线 线切割 SiC
年,卷(期) 2012,(1) 所属期刊栏目 新工艺新技术
研究方向 页码范围 50-52
页数 分类号 O786
字数 1802字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-3474.2012.01.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周立平 中国电子科技集团公司第二研究所 10 28 3.0 5.0
2 徐伟 中国电子科技集团公司第二研究所 50 146 6.0 9.0
3 王英民 中国电子科技集团公司第二研究所 18 53 5.0 6.0
4 姜志艳 中国电子科技集团公司第二研究所 4 19 3.0 4.0
5 毛开礼 中国电子科技集团公司第二研究所 10 34 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
金刚石线
线切割
SiC
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工艺技术
双月刊
1001-3474
14-1136/TN
大16开
太原市115信箱
22-52
1980
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