GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响

• 作者: 刘璐 徐静平 朱剑云 李育强
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-氧化物-氮化物-氧化物硅存储器 存储特性 氧化钆 氮氧化钆
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 器件物理与器件模拟
• 页码范围: 17-21
• 页数: 5页
• 分类号: TN389|TN305.3
• 字数: 2262字
• 语种: 中文

摘要

采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响.实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd-Si键,导致界面态密度增加,因而存储特性欠佳；引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱,并能提高介电常数、减少界面缺陷,因此GdON样品表现出好的存储特性:较大的存储窗口(士13 V/1 s的编程/擦除电压下,存储窗口4.1V)、高的工作速度、好的保持特性以及优良的疲劳特性(105循环编程/擦除后,存储窗口几乎不变).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学光学与电子信息学院	88	358	9.0	13.0
2	刘璐	华中科技大学光学与电子信息学院	33	220	8.0	14.0
3	朱剑云	华中科技大学光学与电子信息学院	2	5	2.0	2.0
4	李育强	华中科技大学光学与电子信息学院	2	5	2.0	2.0