基于多种添加剂的TSV镀铜工艺研究

• 作者: 师开鹏 魏红军
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: TSV 电镀 铜填充 3D封装
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 新工艺 新技术
• 页码范围: 239-241
• 页数: 3页
• 分类号: TQ153
• 字数: 1910字
• 语种: 中文

摘要

穿透硅通孔技术（TSV）是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案，是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中，电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台，建立了考虑加速剂和抑制剂作用的硅通孔电镀铜仿真模型，仿真研究得到了基于硫酸铜工艺的最优电镀药水配方，并实验验证了该配方的准确性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	师开鹏	中国电子科技集团公司第二研究所	3	3	1.0	1.0
2	魏红军	中国电子科技集团公司第二研究所	3	7	2.0	2.0