SiO2膜背封片边缘剥离工艺进展

• 作者: 佟丽英 高丹
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 背封 酸腐蚀 边缘剥离元
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 新工艺 新技术
• 页码范围: 228-230
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2016.04.012

摘要

背封工艺是外延衬底材料制备的关键工艺之一，由于硅片背面边缘沉积的SiO2膜，在外延工艺中造成外延片边缘多晶颗粒沉积及应力集中，因此越来越多的外延厂家要求对背封片SiO2膜进行边缘剥离，主要介绍了几种边缘剥离的方法，并对其各自的特点进行了分析。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	佟丽英		19	22	3.0	3.0
2	高丹		7	4	1.0	2.0