用VGF法生长6英寸锗单晶中籽晶熔接工艺研究

• 作者: 吕春富 惠峰 肖祥江 董汝昆
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直梯度凝固(VGF) 锗单晶 籽晶 熔接 位错密度
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 860-863,869
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.053
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.11.010

摘要

采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一.在VGF法生长单晶的过程中,籽晶的熔接工艺直接影响着单晶生长的成败.研究了拉速器速度、保温时间及石英棉用量对6英寸(1英寸=2.54 cm)锗单晶VGF生长中籽晶熔接的影响,并确定了最佳的籽晶熔接工艺.研究结果发现,当拉速器速度为3～4 mm/h、保温时间为75～100 min、石英棉用量为15～20 9时,实现了对籽晶熔接工艺的精准控制,熔接长度为12～22 mm,位错密度小于500 cm-2,有效地降低了生产成本,提高了生产效率和单晶率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖祥江		1	0	0.0	0.0
2	惠峰		1	0	0.0	0.0
3	董汝昆		1	0	0.0	0.0
4	吕春富		1	0	0.0	0.0