新型碱性抛光液对300mm TaN镀膜片CMP效果评估

• 作者: 刘玉岭 季军 张文倩 杜义琛 王辰伟 韩丽楠
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 去除速率 表面粗糙度 氮化钽 碱性抛光液
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 844-849
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.11.007

摘要

TaN由于其良好的性能广泛用于布线铜与介质之间的阻挡层和黏附层.在对直径为300 mm的TaN镀膜片进行化学机械抛光(CMP)后,对比并分析了两种碱性抛光液对TaN去除速率、片内非均匀性、去除速率选择性和表面粗糙度的影响.结果表明,经过自主研发且不合氧化剂的碱性阻挡层抛光液抛光后,TaN的去除速率为40.1 nm/min,片内非均匀性为3.04％,介质、TaN与Cu的去除速率之比为1.69∶1.26∶1,中心、中间以及边缘的表面粗糙度分别为0.371,0.358和0.366 nm.与商用抛光液抛光结果相比,虽然采用自主研发的抛光液抛光的去除速率低,但片内非均匀性以及选择性均满足商用要求,且抛光后TaN表面粗糙度小,易清洗,无颗粒沾污.综合实验结果表明,自主研发的高性能碱性抛光液对TaN镀膜片具有良好的抛光效果,适合工业生产.