8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法

• 作者: 张志勤 薛宏伟 袁肇耿
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 8英寸硅外延片 薄层外延 外延层厚度 电阻率 不均匀性 “碗状”分布
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 531-535,560
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.07.010

摘要

8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一.研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3％的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的“碗状”分布可有效提高晶圆的良率水平.通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的“碗状”分布,但调整温区幅度不得超过滑移线的温度门槛值.通过提高边缘温度来提高边缘10 mm和6 mm的电阻率,同时提高生长速率以提高边缘3 mm的电阻率,获得外延层电阻率的“碗状”分布,8英寸薄层硅外延片的的边缘离散现象得到明显改善,产品良率也有由原来的94％提升至98.5％,进一步提升了8英寸薄层硅外延片产业化良率水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁肇耿	河北普兴电子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技术研究中心	8	36	4.0	6.0
2	薛宏伟	河北普兴电子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技术研究中心	3	6	1.0	2.0
3	张志勤	河北普兴电子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技术研究中心	3	8	2.0	2.0