高锰酸盐去钻污与化学铜工序对聚酰亚胺的影响

• 作者: 付海涛 武瑞黄 黄伟
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 聚酰亚胺 高锰酸盐去钻污 化学铜 盲孔 空洞 氢氧化钠
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 微组装技术
• 页码范围: 339-341,345
• 页数: 4页
• 分类号: TN41
• 字数: 2922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2018.06.008

摘要

主要用红外光谱研究高锰酸盐去钻污和化学铜工序对聚酰亚胺的影响,同时进行试板制作,对切片进行观察,找出盲孔出现缺陷的根本原因.实验结果显示:在现有的实验条件下,不同的去钻污条件对聚酰亚胺有一定的影响,PTH工序除油药水中是否含有氢氧化钠对聚酰亚胺的影响显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付海涛		7	7	1.0	2.0
2	黄伟		4	5	1.0	2.0
3	武瑞黄		2	0	0.0	0.0