全部耗尽SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究

• 作者: 徐小波 李瑞雪
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 绝缘体上硅 BiCMOS
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 模型与算法
• 页码范围: 496-499,514
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170498

摘要

研究了与CMOS兼容的SOI SiGe HBT结构.首先,分析了SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT在结构上的不同之处.然后,针对新结构的全部耗尽工作模式,建立了考虑电流效应的集电结渡越时间模型.最后,讨论了渡越时间与集电区掺杂浓度、集电结电压、传输电流的关系,并与传统器件的渡越时间进行了比较.该渡越时间模型的建立为SOI SiGe HBT特征频率的设计与优化提供了理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐小波	长安大学电子与控制工程学院	5	7	2.0	2.0
2	李瑞雪		1	2	1.0	1.0