1T1R结构RRAM的故障可测性设计

• 作者: 李晓燕 李颖弢 许晓欣 陈传兵
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 1T1R结构 阻变随机存储器(RRAM) 内建自测试(BIST) 故障类型 测试算法 故障定位
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 388-393,400
• 页数: 7页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.05.011

摘要

阻变随机存储器(RRAM)中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率.采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本.基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片.详细分析了测试中的故障响应情况,并定义了一种故障识别表达式.在March算法的基础上,提出针对RRAM故障的有效测试算法,同时设计了可以定位故障的内建自测试(BIST)电路.仿真结果表明,该测试方案具有占用引脚较少、测试周期较短、故障定位准确、故障覆盖率高的优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈传兵	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	2	0	0.0	0.0
2	许晓欣	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
3	李晓燕	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	5	26	2.0	5.0
4	李颖弢	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	4	0	0.0	0.0