基于非晶铟镓锌氧半导体肖特基二极管的研究

• 作者: 刘朔 吴全潭
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 消费类电子 低温互连 无铅钎料 Sn-Bi 微观组织 力学性能
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 新工艺新技术
• 页码范围: 166-169
• 页数: 4页
• 分类号: TN31
• 字数: 1224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2020.03.012

摘要

非晶铟镓锌氧化物半导体(a-IGZO)二极管广泛应用于光电子学领域,在柔性可穿戴应用领域有巨大优势,但仍然需要解决制备高性能器件和成本等问题.概括了a-IGZO二极管的工作原理和制造工艺,以及a-IGZO肖特基二极管的最新研究进展.最后讨论了器件制备工艺对IGZO二极管器件的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘朔	中国科学院微电子研究所	5	7	2.0	2.0
2	吴全潭	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0