V型金丝间距对微波组件电性能的影响

• 作者: 史亮 兰春丽 杨飞 黎英 卞丽容 朱继祖
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 关键词: 金丝键合 V型金丝 微波组件 电性能 有限元仿真
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 微组装技术 SMT PCB|MICRO-ASSEMBLY SMT PCB
• 页码范围: 224-227
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2021.04.010

摘要

金丝键合是微波组件产品制造中的重要工艺,其中V型金丝应用广泛.针对V型金丝的键合间距对微波组件的电性能影响进行研究,运用仿真及实验的方法进行详细分析.分析结果表明,V型金丝间距增大,驻波比参数变小,插入损耗变小,相位差增大.