制备工艺对薄介质MLCC介电强度的影响

• 作者: 陆亨
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多层陶瓷电容器 薄介质 介电强度 击穿电压 预烧 碳残留 生倒
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 微组装技术 SMT PCB|MICRO-ASSEMBLY SMT PCB
• 页码范围: 26-28,35
• 页数: 4页
• 分类号: TN605
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2022.01.008

摘要

为了满足电子设备对高容量高耐电压多层陶瓷电容器(MLCC)的要求,采用温度补偿型介质瓷粉匹配镍内电极浆料制备薄介质MLCC.研究了预烧工艺和生倒工艺对薄介质MLCC的介电强度的影响.结果 发现:预烧可以减少生坯芯片中的残留碳,从而改善介质致密性和电极连续性,有效提高薄介质MLCC的介电强度.设置合适的加湿气氛和预烧温度,才能将残留碳量降低到符合要求的范围.生倒将生坯芯片的圆角半径控制为105～143μm,可以防止陶瓷芯片损伤和镀液渗入,提高薄介质MLCC的击穿电压值.