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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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年度刊次
目录
  • 1. 等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展
    作者： 刘明 叶甜春 王巍 陈大鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  1-4
    摘要： 先进过程控制(APC)是一个多层次的控制系统,其包含了实时的设备及工艺控制和非实时的RtR控制.APC引入等离子体刻蚀过程控制可极大提高刻蚀机的使用效率.针对等离子体刻蚀过程,本文分别从实时...
  • 2. 电子信息产业面临的技术封锁态势与应对策略
    作者： 明天
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  5-7
    摘要：
  • 3. MEMS技术应用日趋广泛
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  8-9
    摘要：
  • 4. "铜骨铜架"铸就中国"芯"--访维兰德金属(上海)有限公司总经理黄汉强
    作者： 陈亮
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  10-11
    摘要：
  • 5. 蒸发制备金属薄膜实现MEMS工艺中电互连
    作者： 何少伟 史锡婷 易新建 李敏杰 李毅 陈四海 黄磊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  12-14,18
    摘要： 介绍了利用蒸发方法制备金属薄膜来实现MEMS工艺中的互连,采用剥离方法制作金属互连柱.分别在剥离层为双层AZ5214负胶、聚酰亚胺(ZKPI-305ⅡD)和AZ5214负胶、ENPI剥离胶的...
  • 6. 剥离技术制作金属互连柱及其在MEMS中的应用
    作者： 何少伟 史锡婷 易新建 李毅 陈四海 黄磊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  15-18
    摘要： 介绍了利用AZ5214光刻胶及ZKPI-305ⅡD型非光敏聚酰亚胺制作的两种不同的剥离层,即双层AZ5214和ZKPI+AZ5214.此两种剥离工艺简单易操作,可剥离出1 μ m金属镍柱,并...
  • 7. 用于药物释放系统的柔性微针研制
    作者： 刘胜 张鸿海 徐永清 甘志银 马斌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  19-22,25
    摘要： 提出了一种基于MEMS技术在柔性基底上制造微针的工艺技术,这是一种高效、安全和无痛的全新给药方式-微针阵列.该微针阵列能够适用于平面或非平面物体表面,对大分子药剂、蛋白质或者疫苗合成药剂也能...
  • 8. 氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅粒
    作者： 杨六山 薛清
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  23-25
    摘要： 报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅,其喇曼散射表明,在所形成的纳米晶硅在薄膜中分布是随机的,其直径在1.6～15nm以内.并且在强光照射下观察了纳米晶...
  • 9. Cr掩模在硅湿法刻蚀中的应用研究
    作者： 史铁林 廖广兰 聂磊 钟飞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  26-28,34
    摘要： 针对硅湿法刻蚀中常见的SiO2、Si3N4掩模的缺点,提出了以Cr薄膜层为刻蚀掩模的新方法,并进行了相应的试验.试验结果表明,Cr掩模湿法刻蚀技术可用于硅半导体器件的制作.此项工艺为硅湿法刻...
  • 10. 利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性
    作者： 孔蔚然 邹世昌 郭国超 陶凯 韩瑞津
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  29-31
    摘要： 利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理.由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善.这一结果为低...
  • 11. InGaAlP外延片的微分析
    作者： 曹永明 曾伟 李越生 樊华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  32-34
    摘要： 介绍了电子显微镜和二次离子质谱仪(SIMS)两种当前主要的微分析工具在四元InGaAlP发光二极管(LED)外延片分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用领域,指出两者有机的结合可以得到比较全...
  • 12. IC晶片关键尺寸标定的新方法研究
    作者： 伍冯洁 何仲凯 吴黎明 薛向东 邓耀华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  35-37,43
    摘要： 提出了一种基于标准件法的二次标定法,实现了对微距尺寸的高速高精度测量.该方法经过实验测量数据的分析对比,表明比标准件法测量精度有明显提高,满足了IC晶片线宽测量的精度要求.
  • 13. 基于边界扫描的非完全BS电路板测试诊断技术
    作者： 王宁 董兵
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  38-41
    摘要： 由BS器件和非BS器件组装的非完全BS电路板仍将在今后相当长时间内广泛存在,如何对它们应用边界扫描测试是板级边界扫描测试技术需要研究的关键问题.本文从非完全BS电路板的测试性优化设计入手,举...
  • 14. 成功客户服务模式的秘诀
    作者： 科利登系统有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  42-43
    摘要：
  • 15. 纳米结构中激子研究进展
    作者： 郭震宁 闫占彪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  44-48
    摘要： 回顾了近年来耦合量子阱中激子玻色-爱因斯坦凝聚的研究进展和主要实验成果,提供了耦合量子阱中间接激子凝聚的实验证据和高度简并冷激子系统形成的实验条件以及形成机理.介绍了量子点中激子在量子信息中...
  • 16. AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究
    作者： 冯震 张志国 王勇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  49-51,56
    摘要： 报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3 μ m AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μ m器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA.对器件...
  • 17. 有效控制AMC的化学过滤方案
    作者： 王小兵 白晓清
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  52-56
    摘要： AMC对微电子制程存在潜在严重危害并会导致成品率降低.将传统检测方法和Gigacheck或Gigamonitor相结合,会得到更多的AMC信息.化学过滤器是去除AMC的有效手段,评价化学过滤...
  • 18. 提高晶闸管结温的途径
    作者： 李漫 项建华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  57-59
    摘要： 探讨了在半导体晶闸管(SCR)制造过程中,采用合理的工艺手段,选用最低电阻率的单晶、偏长的基区、阴极加短路环、短路点,使小电流a2为零,经过严格的斜边清洗与钝化,使SCR最高工作结温尽量达到...
  • 19. X波段功率单片放大器的研制
    作者： 张务永 武继斌 王同祥
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  60-62
    摘要： 介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立.X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50 Ω,单片性能达到输出功率≥5W,...
  • 20. 飞思卡尔MSC81xx降低应用功耗引领多核心处理技术
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  63-65
    摘要：
  • 21. 岁末,资深电子工程师等专业人才需求大
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  65
    摘要：
  • 22. 2005年(第30卷)总目录
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  66-69
    摘要：
  • 23. 半导体产业新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年12期
    页码:  70-80
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
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