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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
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  • 1. InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
    作者： 李献杰 齐志华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  721-725
    摘要： InP/CaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAs SHBT与InP/InG&As/InP ...
  • 2. 综合新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  725
    摘要：
  • 3. Halo结构器件研究综述
    作者： 陈昕
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  726-729
    摘要： 随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22 nm特征尺寸的研究.讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情况.与传统长沟器件结构进行了比较,指出由于短沟效应(SC...
  • 4. ULSI中多层Cu布线CMP表面粗糙度的分析和研究
    作者： 刘效岩 刘玉岭 康海燕 张进 武彩霞 苏艳勤
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  730-733
    摘要： 分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面活性剂等对表面粗糙...
  • 5. CMP中酸碱度对InSb晶片粗糙度的影响
    作者： 刘效岩 刘玉岭 康海燕 杨伟平 武彩霞 苏艳勤
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  734-736
    摘要： InSb是一种重要的半导体材料.研究了在压力、流量等工艺参数一定的条件下,通过改变有机碱在抛光液中的体积分数,得到了不同pH值的抛光液.采用化学机械抛光(CMP)对InSb进行了表面加工,并...
  • 6. ULSI多层互连中W-CMP速率研究
    作者： 刘玉岭 张伟 张进 申晓宁 苏艳勤
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  737-740
    摘要： 随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一.分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重...
  • 7. 蓝宝石衬底表面粗糙度的研究
    作者： 刘效岩 刘玉岭 孙业林 陈婷 魏恒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  741-744
    摘要： 简述了纳米级超光滑蓝宝石衬底的用途及发展前景,以SiO2为磨料并且加入了表面活性剂和螯合剂的碱性抛光液做了抛光实验.分析了表面粗糙度与抛光液pH值的关系,比较了不同压力对粗糙度的影响,研究了...
  • 8. 抛光工艺对GaAs抛光片粗糙度的影响
    作者： 吕菲 张伟才 武永超 王云彪 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  745-747,786
    摘要： 研究了化学机械抛光过程中抛光布、抛光液中SiO2溶胶粒径、pH值以及清洗工艺对GaAs抛光片表面粗糙度的影响,为降低粗糙度而保持一定的抛光速率,应尽量采用多步抛光的方式,逐步降低抛光布的硬度...
  • 9. 利用RELACS辅助技术制作"T"型栅
    作者： 付兴昌 胡玲
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  748-750
    摘要： 利用RELACS化学收缩辅助技术制作了i线三层胶结构的"T"型栅.首先利用水溶性的化学收缩试剂RELACS,涂在曝光完成的光刻图形上,然后借由混合烘焙让光刻胶中的光酸分子因受热而产生扩散运动...
  • 10. 应力对双极型晶体管参数性能的影响
    作者： 郦扬成
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  751-754
    摘要： 半导体器件和集成电路中存在着两大类应力,提出了应力及其引起的二次缺陷产生的原因、以及如何减小产生的应力和减少二次缺陷的措施,分析了应力和二次缺陷对双极型晶体管的参数性能的不同影响,以及如何区...
  • 11. 器件设计中费密积分的精确近似计算
    作者： 孟晖 王建峰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  755-758
    摘要： 用MATLAB软件中的自适应洛巴托求积公式精确计算了费密积分,精确值比被广泛采用的G.J.Mc-DO和E.C.Stoner计算值多一位有效数字,根据精确值求出了费密积分的近似、易用的多项式回...
  • 12. 共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性
    作者： 王显泰 申华军 程伟 苏永波 金智
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  759-762
    摘要： 制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试.在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密...
  • 13. In焊料电镀工艺研究
    作者： Xu Huiwu 张静 徐会武 李学颜 闫立华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  763-766
    摘要： 研究了In焊料的电镀制备方法和制备过程,分析了In焊料电镀过程中出现的镀层覆盖不完全、焊料晶粒尺度大、焊料熔化后气孔较多、凝固后表面不均匀等问题的起因,并针对这些问题,作了相应的实验改进.通...
  • 14. 镀锡工艺优化和镀液维护方法研究
    作者： 王辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  767-769
    摘要： 锡铅焊料污染环境,近几年逐渐被无铅焊料所取代,无铅焊料中纯锡焊料由于具有可焊性好、成本低、无须更换原有焊接工艺设备等优势而被广泛采用.用于半导体器件焊接的纯锡焊料一般采用电镀方法制备,采用对...
  • 15. 掺N类金刚石薄膜的制备及微观结构分析
    作者： 曾礼丽 杨兵初 赵峥 陈海平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  770-774
    摘要： 采用直流磁控溅射法,在光学玻璃衬底上沉积类金刚石(DLC)和掺N类金刚石薄膜(DLC:N).用喇曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶红外光谱(FTIR)等研究分析了所制备薄膜的微观结构...
  • 16. 统计过程控制技术在键合工序中的应用
    作者： 崔波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  775-779
    摘要： 键合工序是半导体器件生产中的关键工序,采用统计过程控制(SPC)技术对关键工序进行监控是保持生产线稳定、减少质量波动的有力工具,可以提高产品的成品率和可靠性.在现有工序状态下采集键合拉力数据...
  • 17. In-Au复合焊料研究
    作者： 任永晓 徐会武 牛江丽 王伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  780-782
    摘要： 大功率半导体激光器封装过程中,为降低封装引入的应力,踊般用In焊料进行焊接.In焊料具有易氧化、易"攀爬"的特性,因而导致封装成品率很低.提出了一种新型焊料--In-Au复合焊料,使用此焊料...
  • 18. 锁相环在相位噪声测试中的工作机理和影响
    作者： 刘红春 刘红运
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  783-786
    摘要： 分析了相位检波技术测试相位噪声的工作原理和锁相环在电路中的工作机理,给出了锁相环对相位噪声测试影响的转移函数,通过对环路修正前和修正后的实际测试曲线的比较,很容易看出环路噪声压缩的影响.明确...
  • 19. 高精度CMOS DEM-CCⅡ放大器
    作者： 倪雪梅 周洋 张雷 张静 成立 王振宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  787-790
    摘要： 采用动态元件匹配二代电流传输器(DEM-CCⅡ)技术,设计了一种0.35 μm标准工艺的高精度CMOS放大器.通过比较传统的CMOS运放可知,所设计的CMOS放大器既增大了输出摆幅又减小了输...
  • 20. 温差半导体空调制冷器制冷性能研究
    作者： 卞之 张美丽 邢诒存 齐臣杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  791-794
    摘要： 设计了两种不同散热方式的半导体制冷器,实验表明制冷性能良好,为太阳能驱动半导体制冷装置的优化设计提供依据、奠定基础.半导体制冷模块热端采用汽车发动机散热系统标准部件、采取水冷却,能在有限的空...
  • 21. 中频数字接收机的工程实现
    作者： 张宇平 张立康
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  795-798
    摘要： 介绍了一种数字中频接收机的工程实现办法,该数字接收机具有较大的动态范围,较高的I、Q输出精度,采用的是带通采样法进行单路中频采样,数字滤波法进行数字正交相干检波.介绍了传统模拟接收机的不足和...
  • 22. SDLVA零点漂移原因分析及解决方法
    作者： 何光宇 许志超 郝继山
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  799-802
    摘要： 连续检波对数视频放大器(SDLVA)存在零点漂移的问题,尤其是在环境温度发生改变的情况下漂移更加严重,导致器件的系统指标无法达到工程应用要求.针对这些问题,对工程实践中得到的一些实际测试数据...
  • 23. 集成宽带VCO的低相噪设计
    作者： 姚立华 郭文胜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  803-806
    摘要： 从VCO的相位噪声概念及原理分析入手,论述了集成宽带压控振荡器低相噪的设计方法和设计思路,进行了理论分析和数学模拟,并通过利用相关软件进行仿真、优化设计.获得了低相噪声的宽带振荡器,并给出了...
  • 24. 反馈式宽带MMIC放大器的设计与实现
    作者： 刘志军 刘文杰 高学邦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  807-810
    摘要： 介绍了用Agilent ADS软件设计的一种反馈式GaAs MMIC宽带放大器.采用单级GaAs微波场效应管,电路结构上通过并联负反馈的形式增加带宽,可以覆盖2～18 GHz频带,增益大于6...
  • 25. 线性均衡器的研制
    作者： 秦志亮 郭文椹
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  811-813
    摘要： 均衡器是重要的微波器件之一,用来改善微波系统的平坦度.研究了加载电阻的微带谐振器及其在微带均衡器中的应用.先用微波仿真软件Serenade对由加载电阻的微带谐振器构成的均衡器进行优化,再利用...
  • 26. S波段微型直接变频发射机
    作者： 吴小帅 张强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  814-816
    摘要： 随着移动通信设备小型化、低功耗、多功能需求的不断增加,基于正交调制的直接正交上变频DQUC技术得以迅速发展.介绍了DQUC的设计技术,通过对直接变频电路结构布局和参数进行优化,减小了本振泄漏...
  • 27. Ku波段小型化功率介质振荡器的研制
    作者： 刘建栋 刘红兵 高燕宇 高翠琢
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  817-820
    摘要： 针对小型化条件下,影响介质振荡器输出功率、相位噪声等主要技术指标的因素进行了分析,提出了提高小型化微波功率介质振荡器的输出功率、降低相位噪声和改善器件散热的方法.通过优化电路结构和CAD仿真...
  • 28. 20 W X波段GaN MMIC的研究
    作者： 冯志红 周瑞 宋建博 张志国 李静强 王民娟 胡志富 蔡树军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  821
    摘要：
  • 29. 飞思卡尔帮助运营商完成下一代通信的平滑过渡
    作者： 飞思卡半导体技术(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  822-823
    摘要：
  • 30. 业界动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年8期
    页码:  824
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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