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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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年度刊次
目录
  • 1. 石墨烯的SiC外延生长及应用
    作者： 吴华 孙信华 杨瑞霞 郝建民 陆东梅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  665-669
    摘要： 碳化硅外延生长法是近几年重新发展起来的一种制备石墨烯的方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为了制备高质量石墨烯的主要方法之一.另外,从石墨烯在集成电路方面的应用前景来看,该方法最富...
  • 2. 基于迟滞比较器的过热保护电路设计
    作者： 吴春瑜 温绍琨 王绩伟 苏长江
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  670-673
    摘要： 为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,采用0.5 μm CMOS工艺,设计了一种具有迟滞比较器的过热保护电路.由于采用了折叠式运放,使得比较器输入范围更大,灵敏度和迟滞性能更好.利用Ca...
  • 3. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  673,683,714,719,737,742-744
    摘要：
  • 4. 下一代移动通信LTE中功率放大器芯片设计
    作者： 张书霖 朱武 赖宗声 阮颖
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  674-678
    摘要： 基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于下一代移动通信3GPP LTE TDD 2.6 GHz频段(Band38)的射频功率放大器(PA)芯片.射频功率放大器采用共发...
  • 5. 应用于射频收发机的低功耗频率综合器
    作者： 张广辉 张海英 李志强 王云峰 黄水龙
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  679-683
    摘要： 基于0.18 μm 1P6M CMOS工艺,设计并实现了一种用于工作在2.4 GHz ISM频段的射频收发机的整数型频率综合器.频率综合器采用锁相环结构,包括片上全集成的电感电容压控振荡器、...
  • 6. 低失配GaAs HBT 1.5 bit高速模数转换器设计
    作者： 刘新宇 吴旦昱 周磊 林庆良 金智
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  684-688
    摘要： 介绍了一款基于GaAs HBT工艺的1 GS/s 1.5 bit模数转换器.通过分析模数转换器(ADC)的参考电压失配的来源,引入一种能提高电路对称性的新型差分参考网络架构,提出了减小失配的...
  • 7. 集群系统基带信号处理芯片设计
    作者： 姚亚峰 曹永敏 李谋辉 陈海腾
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  689-692
    摘要： 随着数字技术在通信系统中的广泛应用,数字集群通信系统逐渐成为专用通信市场主流.对陆上集群无线系统(TETRA)中的数字集群通信系统的物理层协议进行了分析,提出并设计了基带信号处理的单芯片解决...
  • 8. Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究
    作者： 丁士进 张卫 朱宝 李连杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  693-697
    摘要： 首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列.接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性.结...
  • 9. AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化
    作者： 徐晨 朱彦旭 邓琛 邢艳辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  698-701
    摘要： 利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组...
  • 10. AAO模板浸渍法制备Au纳米线
    作者： 李育洁 胡国锋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  702-705
    摘要： 用模板浸渍法成功地在多孔阳极氧化铝(AAO)模板里制备了Au纳米线.在这种方法中,AAO模板的孔壁在HAuCl4里浸湿,取出后通过热处理形成Au纳米线.使用扫描电子显微镜和X射线对Au纳米线...
  • 11. 扩散炉管气体流动分析和流量计算数学模型
    作者： 闫建新
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  706-710
    摘要： 环境温度气体通过进气管进入高温扩散妒管后迅速膨胀,气体流量和流速均数倍增加；气体射流在炉尾形成的紊流区延伸到工艺恒温区范围,导致靠近炉尾恒温区的气体流动不稳定.通过放置挡板或挡片的方式可以减...
  • 12. 小型双频Wilkinson功分器的设计与制作
    作者： 南敬昌 曲昀 王鑫
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  711-714
    摘要： 为了简化双频Wilkinson功分器的总体结构,并减小功分器的整体尺寸,在对奇模-偶模理论深入研究的基础上,利用传输线的双频阻抗变换特性,并在输入端口并联开路微带线,设计出了一个尺寸小,工作...
  • 13. 高效率开关F3/E类功率放大器
    作者： 吕立明 曹韬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  715-719
    摘要： 介绍了一种高效F3/E类功率放大器的设计方法,该放大器将F类功率放大器的谐波控制电路引入逆E类功率放大器的负载网络,以改善放大器性能.此电路结构提升了放大器的功率输出能力,降低了电路对功率放...
  • 14. WLCSP中微焊球结构尺寸对其热应力的影响
    作者： 洪荣华 王珺
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  720-725,733
    摘要： 晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)微焊球结构尺寸对其热机械可靠性有重要的影响.通过二维有限元模拟筛选出对WLCSP微焊球度其凸点下金属层(UBM)中热应力影响显著的参数,采用完全因子实验和多因...
  • 15. 半导体激光器不同封装下的封装应力
    作者： 乔彦彬 冯士维 熊聪 魏光华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  726-729
    摘要： 为研究正装和倒装封装下高功率半导体激光嚣有源区的应力问题,利用有限元软件ANSYS分析得到了两种封装方式下应力场分布图及有源区平行于x轴路径上的应力变化曲线.模拟结果表明,与正装封装相比,倒...
  • 16. 发射组件强迫风冷系统的热设计
    作者： 李勤建 边国辉 高翠琢
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  730-733
    摘要： 论述了发射组件强迫风冷系统的热设计方法,介绍了强迫风冷体积流量的理论估算.用ICEPAK CFD热分析软件进行热仿真,包括建模、加载边界条件、检查结果等.在仿真时根据最高温度、风扇的工作点、...
  • 17. 提高隔离器焊接可靠性及驻波特性技术研究
    作者： 卢小娜 吴家锋 赵夕彬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  734-737
    摘要： 高可靠固态功率放大器(SSPA)常采用隔离器来实现较好的驻波特性,为保证隔离器联接焊点能够承受上百次温度循环试验和高量级的随机振动试验,常采用Ω桥进行联接.针对隔离器搭桥焊接后驻波特性恶化的...
  • 18. IGBT器件栅极漏电问题研究
    作者： 刘道广 姚伟明 巨峰峰 翁长羽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2012年9期
    页码:  738-742
    摘要： IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键.栅极漏电问题主要由栅氧化...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
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